Электрофизические методы исследования МДП-структур. Часть 2. Бормонтов Е.Н. - 24 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

24
Контрольные вопросы
1. Принцип действия автоматизированной установки.
2. Что такое поверхностный потенциал ? Сформулируйте условия
образования обедненного, обогащенного и инверсионного слоев на
поверхности полупроводника.
3. Какими параметрами определяется удельная емкость
диэлектрической пленки ?
4. Какими параметрами полупроводника, диэлектрика и металла
определяется зависимость приложенного к МДП-структуре напряжения
смещения V
g
от поверхностного потенциала ψ
S
?
5. Объясните зависимость емкости идеальной МДП-структуры от
напряжения смещения для случаев НЧ и ВЧ.
6. Чем объясняется отличие равновесных ВФХ от неравновесных
(при импульсных напряжениях смещения ) ?
7. Какому состоянию ОПЗ полупроводника соответствует область
максимального наклона ВФХ в случаях НЧ и ВЧ ?
8. Каким условием (неравенством ) определяется величина малого
переменного сигнала для измерения дифференциальной емкости ОПЗ ?
9. Какими параметрами определяется минимальная емкость МДП-
структуры для случаев НЧ и ВЧ ?
10. Какой тип проводимости полупроводника (n или р) отвечает
положению минимальной ВЧ емкости МДП-структуры : в области более
отрицательных V
g
; в области более положительных V
g
?
11. Каким образом безразмерный параметр степени легирования
полупроводника λ и объемный потенциал φ
B
связаны с концентрацией
примеси в объеме полупроводника ?
12. Какая из методик (НЧ или ВЧ) определения концентрации
примеси для реальных МДП-структур имеет преимущества и почему ?
13. Каким образом определяется напряжение плоских зон V
FB
? Что
такое пороговое напряжение ?
14. Какова роль поверхностных состояний ?
15. Каким образом поверхностные состояния влияют на форму ВФХ
в случае НЧ и ВЧ ?
16. Какова природа зарядов вблизи границы раздела
полупроводник- диэлектрик ?
Литература
1. Бормонтов Е . Н . Физика и метрология МДП- структур / E.Н .
Бормонтов . –Воронеж , 1997.- С. 32-45, 67-75. 
                                   24

                        Кон трольн ы евоп росы

      1. П ринцип действия автоматизированной установки.
      2. Что такое поверхностны й потенциал ? Сф ормулируйте условия
об разования об едненного, об огащ енного и инверсионного слоев на
поверхности полупроводника.
      3. К акими параметрами          определя ется    удельная    емкость
диэлектрической пленки ?
      4. К акими параметрами полупроводника, диэлектрика и металла
определя ется зависимость прилож енного к М Д П -структуре напря ж ения
смещ ения Vg от поверхностного потенциалаψS ?
      5. О б ъ я сните зависимость емкости идеальной М Д П -структуры от
напря ж ения смещ ения для случаев Н Чи В Ч.
      6. Чем об ъ я сня ется отличие равновесны х В Ф Х от неравновесны х
(при импульсны х напря ж ения х смещ ения ) ?
      7. К акому состоя нию О П З полупроводника соответствует об ласть
максимального наклонаВ Ф Х в случая х Н Чи В Ч?
      8. К аким условием (неравенством) определя ется величина малого
переменного сигналадля измерения диф ф еренциальной емкости О П З ?
      9. К акими параметрами определя ется минимальная емкость М Д П -
структуры для случаев Н Чи В Ч?
      10. К акой тип проводимости полупроводника (n или р) отвечает
полож ению минимальной В Ч емкости М Д П -структуры : в об ласти б олее
отрицательны х Vg ; в об ласти б олееполож ительны х Vg ?
      11. К аким об разом б езразмерны й параметр степени легирования
полупроводника λ и об ъ емны й потенциал φB свя заны с концентрацией
примеси в об ъ емеполупроводника?
      12. К акая из методик (Н Ч или В Ч) определения концентрации
примеси для реальны х М Д П -структур имеет преимущ естваи почему ?
      13. К аким об разом определя ется напря ж ениеплоских зон VFB ? Что
такоепороговоенапря ж ение?
      14. К аковароль поверхностны х состоя ний ?
      15. К аким об разом поверхностны есостоя ния влия ю т наф орму В Ф Х
в случаеН Чи В Ч?
      16. К акова природа заря дов           вб лизи    границы    раздела
полупроводник-диэлектрик?

                              Л итература

     1. Бормонтов Е .Н . Ф изика и метрология М Д П - структур / E.Н .
Бормонтов. –В оронеж , 1997.- С. 32-45, 67-75.

Страницы