Электрофизические методы исследования МДП-структур. Часть 2. Бормонтов Е.Н. - 19 стр.

UptoLike

Составители: 

19
(например, с целью определения типа проводимости
полупроводниковой подложки (n или p), определения величины
Максимальной емкости» или диапазона напряжений , в который
укладывается” C-V кривая ) установите Число точек” равным 10-20.
14. В пункте Гистерезис” должно стоять значение НЕТ”.
15. В пункте Обработка” установите значение ДА”, если хотите,
чтобы все необходимые расчеты производились сразу же после измерения .
Это несколько увеличит время измерения каждой C-V кривой , но сократит
время при дальнейшем просмотре результатов . Если результаты расчётов
сразу не нужны , установите значение НЕТ”.
16. В пункте Толщина окисла“ укажите значение в ангстремах , если
оно известно. Если значение неизвестно , установите 0.
17. В пункте Площадь электрода“ укажите значение в квадратных
миллиметрах , если оно известно . Если значение неизвестно, установите 0.
Примечание: Одно из значений Толщина окисла“ или Площадь
электрода“ обязательно должно быть ненулевым. Если оба значения не
равны 0, то будет рассчитываться диэлектрическая проницаемость
диэлектрика, которая в противном случае считается равной 3.82.
Рекомендуется , если в ином нет необходимости, указывать либо только
Толщину окисла“ (при измерениях с In-Ga электродом ), либо только
Площадь электрода“ (при измерениях с поликремневым или
алюминиевым электродом ).
18. В пункте Материал электрода” при нажатии <Enter>
последовательно изменяется тип материала, из которого изготовлен
электрод исследуемой структуры : AlNpolySi PpolySiIn-Ga
(эвтектика). Выбор материала электрода оказывает влияние на расчет
некоторых электрофизических характеристик структуры , поэтому не
забывайте указать нужный материал .
19. При выполнении лабораторной работы пункт 19 нужно
пропустить и перейти к пункту 20. При выполнении курсовых, дипломных
или иных научно- исследовательских работ желательно перед началом
первого измерения определить погрешность ИВК, которая будет
автоматически учитываться при расчетах . Для этого подключите (если не
подключено) зондовое устройство к клеммам Присоединительного
устройства” , поднимите зонд с пластины , выберите пункт главного меню
Погрешность” и нажмите <Enter>. На передней панели прибора Е 7-12
должен на некоторое время замигать красный индикатор, после чего
справа от надписи Погрешность (пФ ) появится значение погрешности. В
норме это значение должно быть в пределах 0-5 пФ . Если погрешность
больше, необходимо откалибровать измеритель. Для этого переключите на
задней панели Е 7-12 тумблер УПРАВЛЕНИЕ” в положение МЕСТНОЕ”
(вниз) и небольшой отверткой откалибруйте прибор с подключенным
зондовым устройством подстроечными винтами, расположенными в
правом нижнем углу передней панели, так, чтобы погрешность прибора
была минимально возможной . Не пытайтесь добиться нулевой
                                        19
(например, с целью определения типа                             проводимости
полупроводниковой подлож ки (n или p), определения величины
“ М аксимальной емкости» или диапазона напря ж ений, в которы й
“ уклады вается ” C-V кривая ) установите“ Число точек” равны м 10-20.
        14. В пункте“ Гистерезис” долж но стоя ть значение “ Н Е Т ”.
        15. В пункте “ О б раб отка” установите значение “ Д А ”, если хотите,
чтоб ы всенеоб ходимы ерасчеты производились сразу ж епослеизмерения .
Э то несколько увеличит время измерения каж дой C-V кривой, но сократит
время при дальнейш ем просмотре результатов. Е сли результаты расчётов
сразу ненуж ны , установитезначение“ Н Е Т ”.
        16. В пункте“ Т олщ инаокисла“ укаж итезначениев ангстремах, если
оно известно. Е сли значениенеизвестно, установите0.
        17. В пункте “ П лощ адь электрода“ укаж ите значение в квадратны х
миллиметрах, если оно известно. Е сли значениенеизвестно, установите0.
      П римечание: О дно из значений “ Т олщ ина окисла“ или “ П лощ адь
электрода“ об я зательно долж но б ы ть ненулевы м. Е сли об а значения не
равны 0, то б удет рассчиты ваться диэлектрическая проницаемость
диэлектрика, которая в противном случае считается равной 3.82.
Рекомендуется , если в ином нет необ ходимости, указы вать либ о только
“ Т олщ ину окисла“ (при измерения х с In-Ga электродом), либ о только
“ П лощ адь электрода“ (при измерения х с поликремневы м или
алю миниевы м электродом).
        18. В пункте “ М атериал электрода” при наж атии 
последовательно изменя ется тип материала, из которого изготовлен
электрод исследуемой структуры : Al→NpolySi→ PpolySi→In-Ga
(эвтектика). В ы б ор материала электрода оказы вает влия ние на расчет
некоторы х электроф изических характеристик структуры , поэтому не
заб ы вайте указать нуж ны й материал.
        19. П ри вы полнении лаб ораторной раб оты          пункт 19 нуж но
пропустить и перейти к пункту 20. П ри вы полнении курсовы х, дипломны х
или ины х научно-исследовательских раб от ж елательно перед началом
первого измерения          определить погреш ность И В К , которая б удет
автоматически учиты ваться при расчетах. Д ля этого подклю чите (если не
подклю чено) зондовое устройство к клеммам “ П рисоединительного
устройства”, поднимитезонд спластины , вы б еритепункт главного меню
“ П огреш ность” и наж мите . Н а передней панели приб ора Е 7-12
долж ен на некоторое время замигать красны й индикатор, после чего
справаот надписи “ П огреш ность (пФ )” поя вится значениепогреш ности. В
норме это значение долж но б ы ть в пределах 0-5 пФ . Е сли погреш ность
б ольш е, необ ходимо откалиб ровать измеритель. Д ля этого переклю читена
задней панели Е 7-12 тумб лер “ У П РА В ЛЕ Н И Е ” в полож ение“ М Е СТ Н О Е ”
(вниз) и неб ольш ой отверткой откалиб руйте приб ор с подклю ченны м
зондовы м устройством подстроечны ми винтами, располож енны ми в
правом ниж нем углу передней панели, так, чтоб ы погреш ность приб ора
б ы ла минимально возмож ной. Н е пы тайтесь доб иться нулевой