Электрофизические методы исследования МДП-структур. Часть 2. Бормонтов Е.Н. - 18 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

18
обогащения (верхняя “полка” ). Рекомендуется для структуры с подложкой
p-типа устанавливать – 10В , а для структуры с подложкой n-типа - +10В .
Рис. 4. Меню пользователя в NC.
Рис. 5. Главное меню программы измерений .
11. Пункты “Время нагрева” и ”Время охлаждения” оставьте без
изменений .
12. ”Максимальную емкость” установите так, чтобы график C-V
кривой был виден полностью . Однако, даже если С-V кривая окажется на
графике “обрезанной” сверху, это не повлияет на результаты измерения (в
файл С-V кривая будет записана полностью ).
13. В пункте “Число точек” укажите количество значений
напряжения в диапазоне от “Начального напряжения” до “Конечного
напряжения”, при которых измеряется емкость . Обычно для измерения
С-V кривой достаточно 50-100 точек. Для быстрого просмотра С-V кривой 
                                      18
об огащ ения (верхня я “ полка”). Рекомендуется для структуры с подлож кой
p-типаустанавливать –10В , адля структуры с подлож кой n-типа- +10В .




                       Рис. 4. М еню пользователя в NC.




                 Рис. 5. Главноеменю программы измерений.

      11. П ункты “ В ремя нагрева” и ”В ремя охлаж дения ” оставьте б ез
изменений.
      12. ”М аксимальную емкость” установите так, чтоб ы граф ик C-V
кривой б ы л виден полностью . О днако, даж е если С-V кривая окаж ется на
граф ике“ об резанной” сверху, это неповлия ет нарезультаты измерения (в
ф айл С-V кривая б удет записанаполностью ).
      13. В пункте “ Число точек” укаж ите количество значений
напря ж ения в диапазоне от “ Н ачального напря ж ения ” до “ К онечного
напря ж ения ”, при которы х измеря ется емкость. О б ы чно для измерения
С-V кривой достаточно 50-100 точек. Д ля б ы строго просмотраС-V кривой

Страницы