ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
3
Содержание
Введение………………………………………………………………… 4
1. Распределение квантовых состояний в зонах………………………… 5
2. Распределение Ферми – Дирака………………………………………… 6
3. Концентрация электронов и дырок в зонах………………………….… 7
4. Концентрация носителей заряда на локальных уровнях……………… 12
5. Определение положения уровня Ферми……………………………….. 14
5.1. Уравнение электрической нейтральности……………………….… 15
5.2. Уровень Ферми в собственном полупроводнике…………………. 17
5.3. Полупроводники с примесью одного типа……………………….. 18
5.4. Взаимная компенсация доноров и акцепторов…………………… 20
5.5. Компенсированные полупроводники……………………………... 21
6. Практические задания……………………………………………….….. 25
Контрольные вопросы…………………………………………………… 30
3 Содерж ани е В ведени е… … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … 4 1. Распределени еквант овы х сост ояни й взонах… … … … … … … … … … 5 2. Распределени еФ ерми –Д и рака… … … … … … … … … … … … … … … … 6 3. К онцентраци я э лект ронови ды рок взонах… … … … … … … … … … .… 7 4. К онцентраци я носи т елей заряданалокальны х уровнях… … … … … … 12 5. О пределени еполож ени я уровня Ф ерми … … … … … … … … … … … … .. 14 5.1. У равнени еэ лект ри ческой ней тральности … … … … … … … … … .… 15 5.2. У ровень Ф ерми всобст венном полупроводни ке… … … … … … … . 17 5.3. П олупроводни ки спри месью одного ти па… … … … … … … … … .. 18 5.4. В заи мная компенсаци я донорови акцепторов… … … … … … … … 20 5.5. К омпенси рованны еполупроводни ки … … … … … … … … … … … ... 21 6. П ракт и чески езадани я… … … … … … … … … … … … … … … … … … .… .. 25 К онт рольны евопросы … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … 30