ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
4
Введение
Зонная теория твердого тела позволяет рассмотреть различные
возможные квантовые состояния в кристалле, т.е. различные типы
стационарных движений электронов. В термодинамически равновесном
состоянии для данного полупроводникового образца при заданной
температуре существует определенное распределение электронов по
различным квантовым состояниям. В результате в кристалле
устанавливается определенная концентрация свободных электронов n в
зоне проводимости и концентрация свободных дырок р в дырочной
(валентной ) зоне. Кроме того, в кристалле, содержащем локальные уровни
энергии (примесные атомы и структурные дефекты), могут быть еще
отрицательно заряженные акцепторы , на которых в каждой единице
объема находится некоторое количество связанных электронов n
t
, и
положительно заряженные доноры , содержащие некоторую концентрацию
связанных дырок p
t
. Вычисление концентраций подвижных и связанных
носителей заряда составляет основную задачу статистики электронов и
дырок в кристаллах .
Решение указанной задачи необходимо для понимания многих
электрических и оптических явлений в полупроводниках . В частности, оно
позволяет выяснить зависимость основных электрических свойств
полупроводника (электропроводности, подвижности и др.) от количества и
состава примесей и от температуры . И , наоборот , анализируя с помощью
теоретических соотношений статистики экспериментальные данные о
температурной зависимости концентраций электронов и дырок,
оказывается возможным найти энергетические уровни , создаваемые
примесными атомами и структурными дефектами , а также их
концентрации.
Рассматриваемая задача распадается на две части: чисто квантово -
механическую – нахождение числа возможных квантовых состояний
электронов и статистическую – определение фактического распределения
электронов по этим квантовым состояниям при термодинамическом
равновесии.
4 В в едение Зонная т еори я твердого т ела позволяет рассмотрет ь разли чны е возмож ны е квантовы е состояни я в кри ст алле, т.е. разли чны е ти пы ст аци онарны х дви ж ени й э лектронов. В т ермоди нами чески равновесном состояни и для данного полупроводни кового образца при заданной т емперат уре сущ ест вует определенное распределени е э лектронов по разли чны м квантовы м состояни ям. В результ ат е в кри ст алле уст анавли вается определенная концентраци я свободны х э лект ронов n в зоне проводи мости и концентраци я свободны х ды рок р в ды рочной (валент ной ) зоне. К ромет ого, вкри ст алле, содерж ащ ем локальны е уровни э нерги и (при месны е ат омы и ст рукт урны е деф ект ы ), могут бы т ь ещ е от ри цат ельно заряж енны е акцепт оры , на которы х в каж дой еди ни це объема находи т ся некот орое коли чест во связанны х э лект ронов nt , и полож и т ельно заряж енны едоноры , содерж ащ и енекот орую концентраци ю связанны х ды рок pt . В ы чи слени е концент раци й подви ж ны х и связанны х носи т елей заряда сост авляет основную задачу ст ат и ст и ки э лект ронов и ды рок вкри ст аллах. Реш ени е указанной задачи необходи мо для пони мани я многи х э лект ри чески х и опт и чески х явлени й вполупроводни ках. В част ност и , оно позволяет вы ясни т ь зави си мость основны х э лект ри чески х свой ст в полупроводни ка(э лект ропроводности , подви ж ности и др.) от коли чест ваи сост ава при месей и от температ уры . И , наоборот, анали зи руя с помощ ью т еорет и чески х соотнош ени й стат и сти ки э кспери мент альны е данны е о т емперат урной зави си мости концент раци й э лект ронов и ды рок, оказы вается возмож ны м най ти э нергет и чески е уровни , создаваемы е при месны ми атомами и структ урны ми деф ект ами , а т акж е и х концентраци и . Рассматри ваемая задача распадает ся на две части : чи ст о квантово- механи ческую – нахож дени е чи сла возмож ны х квант овы х состояни й э лект ронови ст ати ст и ческую – определени е ф акт и ческого распределени я э лект ронов по э т и м квант овы м состояни ям при т ермоди нами ческом равновеси и .
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- …
- следующая ›
- последняя »