ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
13
транзистора отражены на схеме зависимым генератором тока g
m
U
зи
управляемым
напряжением затвор–канал U
зи
.
3.2 Параметры эквивалентной схемы
Проводимость g
m
определяется отношением приращения тока стока к
вызвавшему его приращению напряжения на затворе при постоянном напряжении
исток –сток:
constСИ
U
ЗИ
C
m
dU
dI
g
=
= . (2)
Выходная дифференциальная проводимость стока g
c
определяется
отношением изменения тока стока к дифференциальному изменению напряжения
стока при постоянном напряжении на затворе
constЗИ
U
СИ
C
m
dU
dI
g
=
= . (3)
Ёмкость затвор – исток С
зи
приблизительно равна отношению изменения
свободного заряда на затворе к изменению напряжения смещения на затворе при
постоянном потенциале стока
constU
ЗИ
ЗИ
CИ
dU
dQ
C
=
= . (4)
Ёмкости сток–затвор и исток–сток являются “паразитными” параметрами и
вычисляются как краевые ёмкости между параллельными и микрополосковыми
линиями.
Последовательное сопротивление истока складывается из сопротивления
эпитаксиального слоя между затвором и истоком и омического сопротивления
контакта R
ки
R
и =
R
ии
+ R
ки
. (5)
Последовательное сопротивление стока определяется аналогично
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »
