Полевой транзистор с барьером Шоттки - 10 стр.

UptoLike

12
Такая геометрия выводов наиболее полно отвечает требованиям
уменьшения их паразитных ёмкостей и индуктивностей. По этой же причине
ПТШ, как правило, выполняются без внешнего металлического корпуса.
3 ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА И ЕЕ ПАРАМЕТРЫ
3.1 Эквивалентная схема
Рассмотрим эквивалентную схему ПТШ (рисунок 4), соответствующую
структуре транзистора. В ней распределённые сопротивления и ёмкости
отдельных областей
представлены в виде сосредоточенных элементов.
Сопротивление активных потерь (металлизации затвора) представлено R
з
, R
и
и R
с
сопротивление частей эпитаксиального n-слоя на участках истокзатвор и
затворсток, которые не зависят от U
зи
и включают сопротивление омических
контактов истока и стока, R
1
-сопротивление части канала между стоком и
затвором не перекрытым обеднённым слоем барьера Шоттки.
Рисунок 4 – Эквивалентная схема ПТШ
Проводимость g
с
представляет собой проходную проводимость стокисток.
Ёмкость стокзатвор Сзс определяет степень паразитной обратной связи.
Емкость затвористок С
зи
является частью входного сопротивления. Емкость
стокисток С
си
междуэлектродная емкость. Активные (усилительные) свойства