ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
10
меньшей надежностью, устойчивостью и динамическим диапазоном транзисторов
с субмикронными длинами затворов.
При длине затвора L≥1мкм пролётное время τ≥10
-11
с, что на порядок
превышает время релаксации энергии и импульса электрона. Поэтому
нестационарные явления при таких длинах затвора не оказывают существенного
влияния на поведение транзистора. Транзисторы с L≥1мкм условно относятся к
классу “больших”. Отметим, что характерной величиной здесь является длина
затвора, а не полная длина канала от истока до стока
, поскольку модуляция
толщины канала происходит в основном в области канала, прилежащей к затвору.
Области канала вне затвора оказывают меньшее, но, тем не менее, существенное
влияние. Эти области вносят паразитные сопротивления, ухудшающие
характеристики полевого транзистора, что находит отражение в эквивалентной
схеме транзистора.
Транзисторы с 0,2<L<1мкм относятся к классу “умеренно малых”, для
них
пролётные времена сопоставимы со временами релаксации энергии и импульса
электрона. Заметим, что транзисторы с длиной затвора 0,1мкм и менее в рамках
такой классификации можно было бы отнести к разряду “малых”. В настоящее
время созданы транзисторы с длиной затвора L=0,065мкм.
2.4 Геометрия (типология) прибора
Варианты топологии металлизации малошумящих ПТШ из GaAs
изображены
на рисунке 2. ПТШ с затвором L=1мкм (рисунок 2,а) имеет одну
контактную площадку затвора и два зубца затвора шириной 150мкм. Площадка
расположена на полуизолирующем GаАs, поэтому паразитная емкость затвора
незначительна.
Топологическая схема транзистора гребенчатого типа показа на рисунке
2,в.
Поскольку высокочастотная выходная мощность на 1мм ширины затвора
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »
