ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
8
сопротивление высокоомной подложки более 10
-7
Ом). Толщина плёнки
составляет несколько десятых долей микрометра. В верхний слой плёнки
вплавляют два омических контакта – исток 3, сток 5, а между ними третий
электрод – затвор 4, образующий барьер Шоттки на границе металл–
полупроводник.
2.2 Принцип работы
Под действием напряжения, приложенного к промежутку сток-исток, в
эпитаксиальном слое 1 транзистора возникает канал 6, поле в котором
ускоряет
носители при их движении от истока к стоку. Управление потоком носителей
осуществляется посредством модуляции ширины канала b в поперечном
направлении, возникающей при изменении толщины слоя объёмного заряда в
области затвора (переход металл-полупроводник) под действием напряжения сток
− затвор. Поскольку переход в полевом транзисторе смещен в обратном
направлении, управление потоком носителей
достигается в нём в первом
приближении без протекания постоянного тока через этот переход.
Носителями зарядов в полевом транзисторе являются заряды одного знака –
электроны. В этом смысле полевые транзисторы (в отличие от биполярных)
являются униполярными. Соответственно механизм проводимости в них
управляется силами электрического происхождения (дрейфом), а не диффузией. В
качестве затвора
в рассматриваемых полевых транзисторах применяется, как уже
упоминалось, контакт металл-полупроводник.
Затвор 4 используется для управления током транзистора с помощью
внешнего сигнала. При протекании тока через канал возникает падение
напряжения на распределённом сопротивлении канала вдоль его длины. Поэтому
часть барьера Шоттки, расположенная ближе к стоку, оказывается сильнее
смещённой в обратном направлении, чем
остальная часть транзистора. Это
приводит к несимметричному расширению слоя обеднённого заряда 7 под
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- …
- следующая ›
- последняя »
