Полевой транзистор с барьером Шоттки - 4 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ЮФУ | Ростов-на-Дону

Составители: 

Рубрика: 

6
который имеет высокую подвижность электронов. Лучшие образцы полевых
транзисторов из арсенида галлия характеризуются коэффициентом шума, 0,5 –
1,4дБ на частотах 0,5 – 18ГГц и 5 –6дБ на частотах миллиметрового диапазона.
Отметим некоторые преимущества ПТШ по сравнению с биполярными
транзисторами. Благодаря более простой и совершенной технологии изготовления
ПТШ имеет меньший разброс электрических параметров. Ток в
них течёт не через
р-n-переходы, а между омическими контактами однородной среде канала.
Благодаря этому ПТШ обладают более высокой линейностью передаточной
характеристики, у них нет шумов токораспределения, а плотность тока может
быть большой, следовательно, уровень их шумов меньше, отдаваемые мощности
больше. Подвижность электронов в слабом поле арсенида галлия (GaAs), из
которого изготавливают
ПТШ, примерно в 2 раза выше, чем в кремнии (Si), а
вместо ёмкостей эмиттерного и коллекторного переходов у ПТШ имеется
сравнительно малая ёмкость обратно смещенного затвора на барьере Шоттки,
поэтому они могут работать на более высоких частотах до 90–120ГГц.
Внутренняя обратная связь через паразитные ёмкости в ПТШ незначительна,
усилители работают на них
более устойчиво в широком диапазоне частот.
Несмотря на то, что теплопроводность GаАs в З раза меньше, чем у Si,
биполярные транзисторы уступают ПТШ по коэффициенту шума уже на частотах
выше 1 –1,5ГГц.
В 90-х годах происходит интенсивное освоение миллиметрового диапазона
волн. Создание приборов для верхней части сантиметрового и миллиметрового
диапазонов волн стимулировало переход
к субмикронным длинам затвора и
новым технологическим решениям, что потребовало углубления физических
представлений о процессах, происходящих в таких транзисторах, и вызвало
многочисленные исследования в этой области.
Разработка и проектирование полупроводниковых и гибридных
интегральных микросхем СВЧ диапазона с применением ПТШ на основе

Страницы