ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
5
Лабораторная работа №12
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ
Цель работы – изучить физический принцип действия, параметры и
характеристики полевого транзистора с барьером Шоттки (ПТШ).
Самостоятельная работа: изучить пособие, занести в рабочую тетрадь:
- название и цель лабораторией работы;
- основные положения, формулы, рисунки необходимые при ответе на
контрольные вопросы.
1 ОБЩИЕ
ПОЛОЖЕНИЯ
ПТШ – полупроводниковый прибор планарно-эпитаксиального типа с
затвором на барьере Шоттки, имеющий контакты на внешней поверхности
кристалла полупроводника n-типа.
История рождения и жизни полевого транзистора – поучительный пример
открытия, намного опередившего время.
Изобретенный в 1930 году он пережил второе рождение в 70 – 80-х годах.
Благодаря поразительным успехам физики твердого тела и полупроводниковой
технологии был создан новый тип полевых транзисторов СВЧ – ПТШ, способных
усиливать и генерировать электромагнитные колебания практически во всём СВЧ
диапазоне вплоть до миллиметровых волн и обладающих при этом малыми
собственными шумами.
Полевые транзисторы (ПТ) были разработаны позже биполярных
транзисторов. Конструктивно-технологические отличия ПТ, вытекающие из их
принципа действия, позволяют повысить частотную
границу СВЧ транзисторных
устройств по сравнению с устройствами на биполярных транзисторах.
Наиболее широкое применение на СВЧ находят ПТШ на арсениде галлия,
