Полевой транзистор с барьером Шоттки - 5 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

арсенида галлия определились как самостоятельное направление развития СВЧ

техники. Важнейшими качествами таких микросхем по сравнению с

микросхемами на биполярных транзисторах являются более высокое

быстродействие и лучшие шумовые характеристики. Именно эти параметры и

определили основные области их применения. Они широко используются в

радиоприёмной, радиопередающей и измерительной аппаратуре СВЧ диапазона.

2 ОДНОЗАТВОРНЫЙ

ПТШ

2.1 Устройство

Полевые транзисторы СВЧ являются тонкоплёночными приборами. Их

изготавливают, как правило, из арсенида галлия с электронной проводимостью.

Наибольшее распространение получили приборы с затвором Шоттки. Структура

полевого транзистора с барьером Шоттки изображена на рисунке 1.

Рисунок 1 – Структура ПТШ

Эпитаксиальная плёнка 1 в этих приборах наращивается на поверхность

полупроводниковой подложки 2 е низкой концентрацией примесей (удельное