ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
9
затвором. Область обеднённого слоя может расширяться до высокоомной
подложки 2 и перекрывать проводящий канал b. При этом ток в цепи исток-сток
практически перестает зависеть от напряжения стока; наступает рёжим
насыщения тока исток − сток на рабочем участке характеристики транзистора.
Повышение обратного смещения на электроде затвора вызывает увеличение
ширины обеднённой области и
, тем самым, сужение n-канала. При этом
возрастает сопротивление n-канала и уменьшается ток стока. Таким образом,
осуществляется модуляция электронного потока в n-канале с помощью в
управляющего напряжения.
Слой под затвором, обеднённый электронами, уменьшает высоту канала.
Если помимо постоянного напряжения U
см
к затвору приложить переменное
напряжение U
из
(t), то в соответствии с изменением этого напряжения изменяется
эффективная высота канала h
эфф
, а следовательно, и ток стока:
I
си
= J
си
h
эфф
W, (1)
где J
си
– плотность тока стока;
W– ширина канала.
2.3 Уменьшение длины затвора
Из самых общих физических представлений известно, что время пролёта τ
носителей через промежуток, в котором они взаимодействуют с электрическим
полем в транзисторе, т.е. область под затвором длиной L, не должно превышать
половины периода СВЧ колебаний τ < Т/2 , а угол пролета ω
L/ν<π. Здесь ω-
круговая частота, ν-средняя скорость дрейфа носителей. Поскольку шумовая
температура T
ш
~ ωL, в малошумящих транзисторах стремятся по возможности
уменьшить величину угла пролёта. На частотах до 5ГГц в малошумящих
транзисторах соотношение ωL/V≤0 удовлетворяется при L≈1мкм, а уменьшение
L сверх этого предела в большинстве случаев технически и экономически
неоправданно. Это объясняется рядом причин и в том числе большей стоимостью,
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
