Полевой транзистор с барьером Шоттки - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ЮФУ | Ростов-на-Дону

Составители: 

Рубрика: 

14
R
с
= R
сс
+ R
кс
. (6)
Сопротивление затвора R
з
.
Сопротивление канала R
i
.
С ростом частоты времена пролёта τ носителей от истока к стоку становятся
соизмеримыми с периодом СВЧ колебаний, что приводит к запаздыванию
выходного тока относительно входного. Это запаздывание отражается частотно-
зависимой проводимостью
g
m
=g
m0
e
-jωτ
, (7)
где g
m0
– активная междуэлектродная проводимость прибора;
τ=I/υ
нас
=С
зи
/g
m
,
где υ
нас
– скорость насыщения носителей.
Равенство справедливо, поскольку С
зи
пропорционально L, а g
m
пропорционально ν
нас
. Так как ёмкость С
зи
включена в цепь последовательно с
паразитными сопротивлениями, то с возрастанием частоты эффективность
модуляции канала уменьшается.
В эквивалентной схеме (рисунок 4) не учтены индуктивности и ёмкости
корпуса. Следует заметить, что существуют расчёты на основе эквивалентной
схемы ПТШ, в том числе и в коротковолновой части СВЧ диапазона. Параметры
эквивалентной схемы транзистора можно определить
по его статическим
характеристикам. При расчёте схем усилителей предпочтительнее использовать
измеренные S-параметры ПТШ (см. раздел 6). А при расчёте малошумящих
усилителей можно использовать Y параметры.
Значение элементов эквивалентной схемы, определенные в работе [9] на
основе измерения S-параметров указаны в таблице 1.
Расчёты, проведенные с использованием данной эквивалентной схемы,
показывают, что транзисторы должны обеспечивать приемлемые характеристики
на частотах до 60ГГц.

Страницы