ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
35
размеров системы (например, радиуса шара) в К раз, критического объ-
ема в К
3
раз, критической массы в К
2
раз. При таком изменении плотно-
сти системы сохраняются соотношения замедлителя и делящегося ве-
щества, а также плотностей активной зоны и отражателя. Если же изме-
няется только плотность активной зоны р, то критическая масса М при
уменьшении исходной плотности р
0
растет по степенному закону с по-
казателем степени m, зависящем от состава среды и степени ее замед-
ляющей способности:
М(ρ)=М(ρ
0
)(ρо/ρ)
m
Показатель m можно получить, если известна критическая масса
для нескольких различных плотностей. При изменении плотности ак-
тивной зоны р
аз
и плотности отражателя р
отр
критическая масса изменя-
ется по закону:
М(ρ) =М(ρ
0
)(ρ
0аз
/ρ
аз
)
m
(ρ
0отр
/ρ
отр
)
n
,причем m+n=2. Максимально достижимая плотность химического
соединения называется его теоретической плотностью.
3.2.3 Температура
Общее влияние изменения температуры на К
эфф
складывается из
нескольких факторов. С одной стороны, при увеличении температуры
уменьшается плотность системы, что увеличивает утечку нейтронов. С
другой стороны, с изменением температуры изменяются парциальные
сечения ядер среды, т. е. ее диффузионные и поглощающие свойства.
Например, резонансное поглощение в
235
U увеличивается с ростом тем-
пературы. Знак температурного эффекта в К
эфф
зависит от особенностей
конкретного случая, но, как правило, К
эфф
уменьшается с увеличением
температуры.
3.2.4 Влияние рассеивающих ядер
Предположим, что к размножающей среде определенного состава,
формы и объема добавлены рассеиватели, т. е. вещества, которые нельзя
отнести ни к замедлителям, ни к поглотителям нейтронов. Рассмотрим
их влияние на К
эфф
при условии, что концентрация делящегося вещества
остается неизменной. Добавление рассеивателей в большинстве случаев
уменьшает утечку нейтронов из среды и увеличивает вероятность ней-
трону вызвать деление в активной зоне, что приводит к увеличению
К
эфф
и уменьшению критической массы. Исключение составляет актив-
ная зона в форме чрезвычайно тонкой пластины, в которой наблюдается
обратный эффект рассеивателей. В этом случае рассеиватели образуют
дополнительные центры рассеяния, которые будут путем однократных
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 33
- 34
- 35
- 36
- 37
- …
- следующая ›
- последняя »
