ВУЗ:
Составители:
24
между разноимённо заряженными ионами. При этом ионы достраивают
свою внешнюю электронную оболочку до устойчивой конфигурации
(ближайшего в периодической системе инертного газа) присоединением
недостающих электронов (анионы) или отдачей электронов (катионы).
Следует подчеркнуть, что полное разделение зарядов, т.е. идеаль-
ная ионная связь никогда не достигается. Из-за волновых свойств
электронов вероятность нахождения валентных электронов вблизи
ядра катиона мала, но никогда не бывает равна нулю.
Межатомные (межионные) расстояния в ионных кристаллах оп-
ределяются уравновешиванием сил притяжения между анионами и
катионами и сил отталкивания их электронных оболочек. Важной осо-
бенностью ионных связей, часто накладывающихся на ковалентные в
полупроводниковых соединениях, является поляризуемость ионов. Это
связано с тем, что центры тяжести отрицательного и положительного
заряда иона не совпадают.
На рисунке 12 показана упрощённая картина непрерывного пере-
хода от чисто ковалентных к чисто ионным кристаллам. На рисунке 12
изображена схема чисто ковалентного кристалла (германия). Здесь
четыре электрона на ячейку одинаково распределены вокруг ионных
остатков Ge
4+
. Электронная плотность в области между узлами велика
вдоль определённых направлений.
Из рисунка 13 видно, что в арсениде галлия плотность электронов
в междоузлиях несколько уменьшилась и появилась тенденция к тому,
чтобы электронное облако вокруг каждого из ионных остатков As
5+
было немного больше, а электронное облако вокруг ионных остатков
Ge
3+
было немного меньше, чем это необходимо для компенсации по-
ложительного заряда. Их этого следует, что соединение типа A
III
B
V
служит хорошим примером веществ, которые являются отчасти ион-
ными и отчасти ковалентными.
Рис. 12. Ковалентная связь
в германии
Рис. 13. Чисто ковалентный
кристалл: арсенид галлия
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- …
- следующая ›
- последняя »
