ВУЗ:
Составители:
34
Рис. 24. Зависимость плотности тока (J) от напряжённости
электрического поля для двухдолинного (GaAs) полупроводника
В заключение этого раздела по анализу свойств соединений типа
A
III
B
V
и твёрдых растворов на их основе следует отметить, что эти со-
единения (особенно арсенид галлия, актимонид индия, фосфид галлия,
арсенид индия) находят всё более широкое применение в приборах,
преимущественно в фотоэлектрических и фотолюминесцентных (фо-
тодиоды, фотосопротивления, лазеры, светодиоды). Реализация пря-
мых оптических переходов во многих из рассматриваемых материалов
обуславливает использование их для создания источников когерент-
ных излучений (лазеров); первый полупроводниковый лазер был соз-
дан на основе арсенида галлия.
Примечание. Доля переброшенных через энергетическую щель
электронов при температуре Т равна
TkE
bg
e
2/−
≈
.
При ширине щели E
g
= 4 эВ эта величина при комнатной темпера-
туре (
эВ025,0≈Tk
b
) составляет ~
3580
10
−−
≈e
, т.е. по сути переброса
электронов нет (и ток бесконечно мал). Но если E
g
= 0,25 эВ, то доля
переброшенных электронов при комнатной температуре ~
25
10
−−
≈e
и
будет наблюдаться заметная проводимость.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 32
- 33
- 34
- 35
- 36
- …
- следующая ›
- последняя »
