Материалы твёрдотельной микро- и наноэлектроники. Брусенцов Ю.А - 32 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рис. 21. Зонная структура GaSb.

Приближённые значения энергетических зазоров:

– Г

(ширина запрещённой зоны ∆Е) = 0,81 эВ (4 К);

– Г

= 0,08 эВ (300 К); Х

– Г

= 0,4 эВ (300 К);

– L

= 2 эВ (300 К); Х

– Х

= 4,2 эВ (300 К)

Рис. 22. Схема структуры зон арсенида галлия (n-типа) в направлении <100>:

1 – нижний минимум (А); 2 – верхний минимум (Б); 3 – зона проводимости;

4 – валентная зона; m* – эффективная масса электрона;

– масса покоя электрона