ВУЗ:
Составители:
31
При изменении состава твёрдых растворов, например от AlSb к
GaSb, величина ∆Е сначала определяется энергетическим зарядом ме-
жду максимумом валентной зоны (точка Г) и минимумом зоны прово-
димости, расположенным в точке Х, а при возрастании концентрации
GaSb – зазором между максимумом валентной зоны (точка Г) и мини-
мумом зоны проводимости, расположенным в точке Х. Характер зави-
симости от состава, положения минимумов зоны проводимости, рас-
положенных в точках Г и Х, различен. Точка на кривой зависимости
∆Е от состава твёрдого раствора отвечает равному зазору между ми-
нимумами зон проводимости, расположенных в точках Г и Х, и потол-
ком валентной зоны.
Здесь необходимо привести сведения о зонной структуре химиче-
ских соединений, зависимости энергии электрона (Е) от волнового
вектора (k) в разных направлениях от центра зоны Бриллюэна.
На рисунке 20 изображена первая зона Бриллюэна для ГЦК кри-
сталлов (усечённый октаэдр) и направления построения энергетиче-
ских зон.
Точка Г лежит в центре зоны. Для указания точек высокой симмет-
рии на границе зоны принято использовать обозначения K, L, W и X.
На рисунке 21 показана зонная структура GaSb. За начало отсчёта
взята точка Г
15
максимума валентной зоны.
Энергетическая структура зон позволяет характеризовать элек-
трофизические свойства полупроводниковых материалов. Например,
характер и тип междузонных переходов.
Покажем это на примере GaAs. Изобразим упрощённую схему
зон арсенида галлия (рис. 22).
Рис. 20. Первая зона Бриллюэна для ГЦК кристаллов
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 29
- 30
- 31
- 32
- 33
- …
- следующая ›
- последняя »
