ВУЗ:
Составители:
29
На рисунке 17 показано расположение областей твёрдых раство-
ров в четвертных системах, построенных на основе некоторых соеди-
нений типа A
III
B
V
(не все системы являются квазичетвертными).
В твёрдых растворах на основе соединений A
III
B
V
, как и в чистых
соединениях, осуществляются смешанные ковалентно-металлические
sp
3
-гибридные связи.
По-видимому, в ряде твёрдых растворов соединений типа A
III
B
V
наблюдается упорядочение по подрешёткам аниона и катиона. Откло-
нение свойств этих твёрдых растворов от аддитивных свидетельствует
о правильности предположения.
Свойства твёрдых растворов закономерно изменяются с измене-
нием состава раствора, однако не обязательно аддитивно.
Система GaSb – InSb. В ней образуется непрерывный ряд твёрдых
растворов. При температуре 300 К ширина запрещённой зоны изменя-
ется монотонно с изменением состава (рис. 18, 19).
Система GaSb – AlSb. Данные о зависимости периода решётки от
состава в этой системе не известны (периоды решётки GaSb и AlSb не
сильно отличаются: 6,09592 Å – GaSb, 6,1355 Å – AlSb), поэтому труд-
но оценить изменение периода решётки от состава экспериментально.
Зависимость ширины запрещённой зоны от состава не монотонна: на
кривой имеется точка перегиба вблизи состава 10% GaSb (рис. 19).
Рис. 17. Расположение областей твёрдых растворов (заштрихованные
области) в некоторых четвертных системах типа A
III
– A
III
– B
V
– B
V
:
а – Ga – In – P – As; б – Ga – In – P – Sb; в – Ga – In – As – Sb
а)
б)
в)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 27
- 28
- 29
- 30
- 31
- …
- следующая ›
- последняя »
