Материалы твёрдотельной микро- и наноэлектроники. Брусенцов Ю.А - 30 стр.

UptoLike

30
Рис. 18. Изменение ширины запрещённой зоны в зависимости
от состава твёрдого раствора в системе GaSb – InSb (300 К)
Рис. 19. Изменение ширины запрещённой зоны в зависимости
от состава твёрдого раствора в системе AlSb – GaSb
Это связано с тем, что минимум зоны проводимости в GaSb ле-
жит в точке Г [k = (000)], а в AlSb – в точке X
( )
π
= 200
2
a
k