Электротехника и электроника. Брякин Л.А. - 116 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

22
,
R
E
R
UE
I
наскэ
кн
≈
−
= .
Наблюдаемые в этом случае токи базы и коллектора будут связаны соот-
ношением:
β
кн
об
I
sI ⋅=
,
,
где s – степень насыщения транзистора, то есть степень превышения тока
базы над минимальной, требуемой для формирования тока насыщения коллек-
тора I
кн
, величиной. А минимальная величина определится из выражения:
β
кн
об
I
I =
,
.
Предложенные выражения позволяют рассчитать в статике транзистор-
ный ключ, что гарантирует его работоспособность и в динамике. Если же надо
достичь высокого быстродействия, то следует выбирать высокочастотные тран-
зисторы и использовать методы повышения быстродействия ключа.
Анализ работы ключа в динамике
При анализе динамики ключа делают определённые допущения. Предпо-
лагают, что включение
транзистора происходит от генератора тока I
б,о
, выклю-
чение происходит под действием тока выключения или закрывания транзистора
I
б,з
. Собственно процесс включения или открывания ключа считают начинаю-
щимся при достижении напряжения на переходе база-эмиттер величины
U
бэ,о
≈0.7В для кремния. При выходе из насыщении и при формировании фронта
выключения считается, что напряжение на переходе база-эмиттер сохраняется
равным U
бэ,о
≈0.7В. Рассмотрим основные этапы работы ключа в динамике.
Включение или открывание транзистора ключа
При включении выделяют три этапа:
1. Этап задержки сигнала. При подаче на вход нарастающего фрон-
та наблюдается заряд паразитных емкостей базовой цепи током
резистора R1. Пока напряжение на базе ниже U
бэ,о
≈0.7В считает-
ся, что транзистор остаётся закрытым, на выходе никаких изме-
нений не наблюдается. 
                                         E − U кэ,нас               E
                                I кн =                         ≈       .
                                               R2                   R2
     Наблюдаемые в этом случае токи базы и коллектора будут связаны соот-
     ношением:
                                                        I кн
                                         I б ,о = s ⋅           ,
                                                        β

     где s – степень насыщения транзистора, то есть степень превышения тока
базы над минимальной, требуемой для формирования тока насыщения коллек-
тора Iкн, величиной. А минимальная величина определится из выражения:
                                                     I кн
                                          I б ,о =          .
                                                     β

     Предложенные выражения позволяют рассчитать в статике транзистор-
ный ключ, что гарантирует его работоспособность и в динамике. Если же надо
достичь высокого быстродействия, то следует выбирать высокочастотные тран-
зисторы и использовать методы повышения быстродействия ключа.
     Анализ работы ключа в динамике
     При анализе динамики ключа делают определённые допущения. Предпо-
лагают, что включение транзистора происходит от генератора тока Iб,о, выклю-
чение происходит под действием тока выключения или закрывания транзистора
Iб,з. Собственно процесс включения или открывания ключа считают начинаю-
щимся при достижении напряжения на переходе база-эмиттер величины
Uбэ,о≈0.7В для кремния. При выходе из насыщении и при формировании фронта
выключения считается, что напряжение на переходе база-эмиттер сохраняется
равным Uбэ,о≈0.7В. Рассмотрим основные этапы работы ключа в динамике.
     Включение или открывание транзистора ключа
     При включении выделяют три этапа:
     1.      Этап задержки сигнала. При подаче на вход нарастающего фрон-
             та наблюдается заряд паразитных емкостей базовой цепи током
             резистора R1. Пока напряжение на базе ниже Uбэ,о≈0.7В считает-
             ся, что транзистор остаётся закрытым, на выходе никаких изме-
             нений не наблюдается.

Страницы