Электротехника и электроника. Брякин Л.А. - 118 стр.

UptoLike

Составители: 

время, иногда продолжительное, сохраняется неизменным и вы-
ходное напряжение, и ток через транзистор. Это происходит из-за
того, что ток в коллекторе поддерживается неосновными носите-
лями, накопленными в базе транзистора при включенном состоя-
нии. Пока существует ток коллектора, пока есть неосновные но-
сители в базе, на переходе база-эмиттер сохраняется напряжение
U
бэ,о
0.7В.
2. Этап формирования фронта выключения. Этот этап наблюдается
после выхода транзистора из насыщения, продолжительность
этого этапа, как и предыдущего, зависит от величины тока вы-
ключения транзистора, который вытекает из базовой области.
Для анализируемой схемы он будет равен:
1
0
,
,
R
UU
I
обэ
зб
=
.
Быстродействие ключа при формировании фронтов зависит во многом от
быстродействия используемого транзистора, то есть от граничной частоты уси-
ления по току в схеме с общим эмиттером и от ёмкости коллекторного перехо-
да. О роли этой ёмкости говорилось в предыдущем разделе.
4.1.3 Транзисторный ключ на комплементарных
МДП-транзисторах
Особенностью ключа
является использование двух транзисторов с раз-
ными каналами проводимости в выходной цепи. Транзисторы с индуцирован-
ными каналами, то есть характеризуются величинами порогового напряжения.
Чтобы элемент был работоспособен, пороговые напряжения должны быть по
модулю меньше модуля напряжения питания. Базовая схема КМДП-инвертора
предложена на рисунке 4.2.
             время, иногда продолжительное, сохраняется неизменным и вы-
             ходное напряжение, и ток через транзистор. Это происходит из-за
             того, что ток в коллекторе поддерживается неосновными носите-
             лями, накопленными в базе транзистора при включенном состоя-
             нии. Пока существует ток коллектора, пока есть неосновные но-
             сители в базе, на переходе база-эмиттер сохраняется напряжение
             Uбэ,о≈0.7В.
     2.      Этап формирования фронта выключения. Этот этап наблюдается
             после выхода транзистора из насыщения, продолжительность
             этого этапа, как и предыдущего, зависит от величины тока вы-
             ключения транзистора, который вытекает из базовой области.
             Для анализируемой схемы он будет равен:
                                             U бэ,о − U 0
                                  I б ,з =                  .
                                                 R1
     Быстродействие ключа при формировании фронтов зависит во многом от
быстродействия используемого транзистора, то есть от граничной частоты уси-
ления по току в схеме с общим эмиттером и от ёмкости коллекторного перехо-
да. О роли этой ёмкости говорилось в предыдущем разделе.




     4.1.3 Транзисторный ключ на комплементарных
      МДП-транзисторах
     Особенностью ключа является использование двух транзисторов с раз-
ными каналами проводимости в выходной цепи. Транзисторы с индуцирован-
ными каналами, то есть характеризуются величинами порогового напряжения.
Чтобы элемент был работоспособен, пороговые напряжения должны быть по
модулю меньше модуля напряжения питания. Базовая схема КМДП-инвертора
предложена на рисунке 4.2.