ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
время, иногда продолжительное, сохраняется неизменным и вы-
ходное напряжение, и ток через транзистор. Это происходит из-за
того, что ток в коллекторе поддерживается неосновными носите-
лями, накопленными в базе транзистора при включенном состоя-
нии. Пока существует ток коллектора, пока есть неосновные но-
сители в базе, на переходе база-эмиттер сохраняется напряжение
U
бэ,о
≈0.7В.
2. Этап формирования фронта выключения. Этот этап наблюдается
после выхода транзистора из насыщения, продолжительность
этого этапа, как и предыдущего, зависит от величины тока вы-
ключения транзистора, который вытекает из базовой области.
Для анализируемой схемы он будет равен:
1
0
,
,
R
UU
I
обэ
зб
−
=
.
Быстродействие ключа при формировании фронтов зависит во многом от
быстродействия используемого транзистора, то есть от граничной частоты уси-
ления по току в схеме с общим эмиттером и от ёмкости коллекторного перехо-
да. О роли этой ёмкости говорилось в предыдущем разделе.
4.1.3 Транзисторный ключ на комплементарных
МДП-транзисторах
Особенностью ключа
является использование двух транзисторов с раз-
ными каналами проводимости в выходной цепи. Транзисторы с индуцирован-
ными каналами, то есть характеризуются величинами порогового напряжения.
Чтобы элемент был работоспособен, пороговые напряжения должны быть по
модулю меньше модуля напряжения питания. Базовая схема КМДП-инвертора
предложена на рисунке 4.2.
время, иногда продолжительное, сохраняется неизменным и вы-
ходное напряжение, и ток через транзистор. Это происходит из-за
того, что ток в коллекторе поддерживается неосновными носите-
лями, накопленными в базе транзистора при включенном состоя-
нии. Пока существует ток коллектора, пока есть неосновные но-
сители в базе, на переходе база-эмиттер сохраняется напряжение
Uбэ,о≈0.7В.
2. Этап формирования фронта выключения. Этот этап наблюдается
после выхода транзистора из насыщения, продолжительность
этого этапа, как и предыдущего, зависит от величины тока вы-
ключения транзистора, который вытекает из базовой области.
Для анализируемой схемы он будет равен:
U бэ,о − U 0
I б ,з = .
R1
Быстродействие ключа при формировании фронтов зависит во многом от
быстродействия используемого транзистора, то есть от граничной частоты уси-
ления по току в схеме с общим эмиттером и от ёмкости коллекторного перехо-
да. О роли этой ёмкости говорилось в предыдущем разделе.
4.1.3 Транзисторный ключ на комплементарных
МДП-транзисторах
Особенностью ключа является использование двух транзисторов с раз-
ными каналами проводимости в выходной цепи. Транзисторы с индуцирован-
ными каналами, то есть характеризуются величинами порогового напряжения.
Чтобы элемент был работоспособен, пороговые напряжения должны быть по
модулю меньше модуля напряжения питания. Базовая схема КМДП-инвертора
предложена на рисунке 4.2.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 116
- 117
- 118
- 119
- 120
- …
- следующая ›
- последняя »
