Электротехника и электроника. Брякин Л.А. - 117 стр.

2.     Этап формирования фронта включения или спадающего фронта
       на выходе. При этом под действием тока базы Iб,о происходит пе-
       реход транзистора из выключенного, закрытого состояния в от-
       крытое, включенное состояние. Достигается в коллекторе ток на-
       сыщения транзистора Iкн.
3.     Этап накопления неосновных носителей заряда в базовой цепи.
       На этом этапе на выходе состояние неизменно, транзистор вклю-
       чен, но ток базы превышает минимально требуемый ток, что
       приводит к накоплению неосновных носителей в базе.
Наличие этапа накопления неосновных носителей заряда существенно
снижает быстродействие транзисторного ключа, приводит к появлению
при закрывании транзистора продолжительного по времени этапа расса-
сывания накопленных носителей. Существенного повышения быстродей-
ствия ключа можно достичь применением или форсирующей ёмкости,
включаемой параллельно резистору в базовой цепи R1 (рисунок 4.1), или
применением диода Шотки, включаемого в качестве компонента нели-
нейной отрицательной обратной связи параллельно коллекторному пере-
ходу, анодом к базе. Комбинация транзистора с диодом Шотки образует
так называемый транзистор Шотки. Если логические элементы исполь-
зуют такие транзисторы в своём составе для повышения быстродействия,
то в их названии появляется дополнительное слово «Шотки» или его со-
кращение в виде буквы «Ш». Например, элементы транзисторно-
транзисторной логики (ТТЛ), использующие диоды Шотки, называют
ТТЛШ. При одинаковом быстродействии с элементами без нелинейной
обратной связи они потребляют мощность примерно в 4 раза меньше.
Выключение или закрывание транзистора ключа
При выключении выделяют два этапа:
1.     Этап рассасывания неосновных носителей заряда в базе транзи-
       стора. На этом этапе несмотря на то, что входное напряжение
       упало до уровня логического нуля, на выходе ключа некоторое