Электротехника и электроника. Брякин Л.А. - 119 стр.

                                   Рисунок 4.2
     Транзистор VT1 с индуцированным каналом p-типа. Если разность на-
пряжений между затвором и истоком в транзисторе с индуцированным каналом
равна нулю, то канал проводимости отсутствует, транзистор закрыт. Если на-
пряжение на затворе VT1 окажется ниже напряжения на истоке (равного в на-
шем случае 5В) на величину, большую по модулю порогового напряжения это-
го транзистора, то образуется канал, транзистор проводит ток, пропускает по-
данное на исток напряжение.
     Транзистор VT2 является МДП-транзистором с индуцированным n-
каналом проводимости и открывается при превышении напряжения на затворе
более, чем пороговое напряжение этого транзистора.
     Опишем работу этого инвертора.
     Если на входе уровень логического нуля, то есть близкое к нулю напря-
жение, то транзистор VT1 окажется открыт, поскольку на его затворе напряже-
ние ниже, чем на истоке, а VT2 – закрыт. На выходе формируется напряжение,
практически равное питающему напряжению E. То есть на выходе наблюдается
логический нуль.
     Если на входе уровень логической единицы, то есть близкое к E напряже-
ние, то VT2 открывается, а VT1 закрыт. На выходе логический нуль, напряже-
ние на выходе практически равно нулю.
     Таким образом, предложенная схема реализует инвертор.
     Отметим достоинства этого элемента как достоинства всех элементов,
выполненных по КМДП-технологии.