Электротехника и электроника. Брякин Л.А. - 86 стр.

      Собственный полупроводник – абсолютно чистый и однородный полу-
 проводник, у которого количество свободных электронов равно количеству
 дырок. Энергия Ферми в собственном полупроводнике располагается посере-
 дине запрещенной зоны. Если в полупроводниковом приборе используется
 собственный полупроводник, то это подчеркивается в описании этого прибора
 символом «i». Концентрация свободных электронов в собственном полупро-
 воднике обозначается символом ni, а свободных дырок – символом pi.


     3.1.2 Примесный полупроводник
      Полупроводник n-типа или электронный полупроводник образуется из
собственного полупроводника путём добавления пятивалентных атомов мышь-
яка, сурьмы, фосфора. В этом случае пятый валентный электрон не участвует в
образовании ковалентной связи, уровень энергии этого электрона оказывается
близок к энергии дна зоны проводимости. То есть, чтобы этот электрон освобо-
дился достаточно небольшого приращения энергии. Значительное количество
атомов в примеси приводит к повышению энергии Ферми в сторону зоны про-
водимости.
      Концентрация свободных электронов в электронном полупроводнике
обозначается символом nn. Одновременно со свободными электронами в n-
полупроводнике имеются свободные дырки, концентрация которых обознача-
ется символом pn. Дырки в электронном полупроводнике являются неоснов-
ными носителями заряда.
      Полупроводник p-типа или дырочный полупроводник, обладающий ды-
рочной проводимостью, образуется добавлением трехвалентных атомов алю-
миния, бора, индия или галлия. При этом при образовании ковалентных связей
одна связь окажется недостроенной и какой-либо электрон, разрушая сущест-
вующую ковалентную связь, достраивает данную связь, образуя неподвижный
ион. Разрушенная ковалентная связь соответствует дырке. При этом уровень
энергии Ферми смещается вниз относительно середины запрещённой зоны.