Электротехника и электроника. Брякин Л.А. - 87 стр.

          Концентрация свободных дырок в дырочном полупроводнике обознача-
ется символом pp. Одновременно со свободными дырками в p-полупроводнике
имеются свободные электроны, концентрация которых обозначается символом
np. Электроны в дырочном полупроводнике являются неосновными носителями
заряда.
          Для любого полупроводника справедливо равенство:
                                    nnpn=nppp=nipi.




     3.1.3 Токи в полупроводниках
          Различают четыре разновидности токов в зависимости от типа свобод-
ных носителей заряда и от причины их движения:
          − дырочный
          − электронный
          − диффузионный
          − дрейфовый.
          Дырочный ток – направленное движение дырок под действием какой-
 либо причины, а электронный ток – направленное движение электронов. При-
 чиной появления тока может быть внешнее электрическое поле, приложенное
 к полупроводнику (дрейфовый ток) или различие в концентрациях носителей
 заряда (диффузионный ток).
          Сочетая причину тока и тип свободных носителей заряда, образующих
 ток в данном случае, можно выделить следующие четыре разновидности токов
 в полупроводниках:
            • дрейфовый электронный ток
            • дрейфовый дырочный ток
            • диффузионный электронный ток
            • диффузионный дырочный ток.
          Величина электронного и дырочного токов зависит от подвижности
 электронов или дырок. Если напряженность внешнего электрического поля