Электротехника и электроника. Брякин Л.А. - 89 стр.

                                   Рисунок 3.2
      Известно, что p-n-переход обладает вентильными свойствами, пропуская
ток в одном направлении и не пропуская в другом, то есть он обладает свойст-
вами диода. Подобные структуры могут быть созданы другим способом: метал-
лургический контакт металла и полупроводника позволяет создать переход
Шотки. Особенностью этого перехода и диодов, построенных на его основе,
является высокое быстродействие. Диод Шотки обладает меньшим прямым па-
дением напряжением, чем p-n-переход на основе кремния. Если использовать
два полупроводника с одинаковой проводимостью, но с разной шириной за-
прещенной зоны, то при этом образуется гетеропереход, который обладает вен-
тильными свойствами и позволяет при использовании современных материалов
повысить быстродействие биполярных структур.


     3.2.2 Р-n-переход и его свойства
      При анализе поведения p-n-перехода обычно рассматривают его работу
при прямом смещении перехода, когда токи через него максимальны, и при об-
ратном смещении, когда токи через него минимальны.
      Модель перехода при прямом смещении предложена на рисунке 3.3.
      Под действием приложенного внешнего напряжения дырки из тела по-
лупроводника дырочной проводимости (p типа) устремляются в область объем-
ного отрицательного заряда, нарушая баланс системы. В то же время свободные
электроны электронного полупроводника (n типа) устремляются       к области