Электротехника и электроника. Брякин Л.А. - 90 стр.

UptoLike

Составители: 

объёмного положительного заряда p-n-перехода, нейтрализуя в определённой
степени этот заряд.
Рисунок 3.3
Уменьшение объемного заряда оказывается эквивалентным уменьшению ши-
рины p-n-перехода. Поскольку величина заряда в области p-n-перехода умень-
шилась, через переход потекут электронные и дырочные токи. Рост внешнего
тока при повышении приложенного напряжения происходит по экспоненте и
очень быстро, т.е. чтобы при прямом смешении p-n-переход не разрушился, не-
обходимо
предусмотреть какие-либо меры ограничения тока, если внешнее на-
пряжение больше одного вольта.
Модель p-n-перехода при обратном смещении предложена на рисунке
3.4.
Рисунок 3.4
объёмного положительного заряда p-n-перехода, нейтрализуя в определённой
степени этот заряд.




                                   Рисунок 3.3


Уменьшение объемного заряда оказывается эквивалентным уменьшению ши-
рины p-n-перехода. Поскольку величина заряда в области p-n-перехода умень-
шилась, через переход потекут электронные и дырочные токи. Рост внешнего
тока при повышении приложенного напряжения происходит по экспоненте и
очень быстро, т.е. чтобы при прямом смешении p-n-переход не разрушился, не-
обходимо предусмотреть какие-либо меры ограничения тока, если внешнее на-
пряжение больше одного вольта.
       Модель p-n-перехода при обратном смещении предложена на рисунке
3.4.




                                   Рисунок 3.4