Электротехника и электроника. Брякин Л.А. - 91 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

При подаче обратного напряжения произойдет расширение области p-n-
перехода, т.е. объем неподвижных зарядов в p-n-переходе увеличится. При об-
ратном смещении через p-n-переход могут течь ток термогенерации (I
тг
) и теп-
ловой ток (I
o
). Ток термогенерации объясняется процессом генерации пар элек-
трон – дырка в области p-n-перехода. Именно эта составляющая тока объясняет
рост внешнего тока при увеличении обратного напряжения, поскольку с ростом
обратного напряжения возрастает ширина области p-n-перехода. Тепловой ток
объясняется тем, что под действием тепла свободные носители зарядов, обла-
дая запасом энергии, могут случайно
попасть в p-n-переход, что и создает теп-
ловой ток. Поскольку площадь сечения p-n-перехода при изменении внешнего
напряжения не меняется, то тепловой ток не зависит от напряжения. Описанное
поведение p-n-перехода от внешнего напряжения достаточно хорошо описыва-
ется формулой:
i
D
= I
0
( e
u/φ
t
– 1 ),
где u-приложенное к диоду напряжение с учётом знака,
φ
t
– тепловой
потенциал, примерно равный при комнатной температуре 25мВ. При прямом
смещении диода знак напряжения считается положительным.
Зависимость позволяет построить вольтамперную характеристику диода,
вид которой показан на рисунке 3.5.
Рисунок 3.5 
      При подаче обратного напряжения произойдет расширение области p-n-
перехода, т.е. объем неподвижных зарядов в p-n-переходе увеличится. При об-
ратном смещении через p-n-переход могут течь ток термогенерации (Iтг) и теп-
ловой ток (Io). Ток термогенерации объясняется процессом генерации пар элек-
трон – дырка в области p-n-перехода. Именно эта составляющая тока объясняет
рост внешнего тока при увеличении обратного напряжения, поскольку с ростом
обратного напряжения возрастает ширина области p-n-перехода. Тепловой ток
объясняется тем, что под действием тепла свободные носители зарядов, обла-
дая запасом энергии, могут случайно попасть в p-n-переход, что и создает теп-
ловой ток. Поскольку площадь сечения p-n-перехода при изменении внешнего
напряжения не меняется, то тепловой ток не зависит от напряжения. Описанное
поведение p-n-перехода от внешнего напряжения достаточно хорошо описыва-
ется формулой:
                       iD = I0 ( e u/φt – 1 ),
                                                                φ
      где u-приложенное к диоду напряжение с учётом знака,          t   – тепловой
потенциал, примерно равный при комнатной температуре 25мВ. При прямом
смещении диода знак напряжения считается положительным.
      Зависимость позволяет построить вольтамперную характеристику диода,
вид которой показан на рисунке 3.5.




                                        Рисунок 3.5

Страницы