Электротехника и электроника. Брякин Л.А. - 88 стр.

 повышается, то пропорционально будет расти скорость носителей зарядов и
 ток. Но при достижении определенной критической скорости дальнейший
 рост скорости носителей заряда прекращается.


     3.2 Полупроводниковый диод
     3.2.1 Контактные явления
       Рассмотрим поведение примесных полупроводников с разной проводи-
мостью при создании металлургического контакта между ними.
       В исходном состоянии в полупроводнике p-типа образуются дырки, как
положительные свободные заряды, и отрицательные неподвижные ионы. Ана-
логичная ситуация, но с другими знаками, наблюдается в полупроводнике n-
типа. При металлургическом контакте электроны устремляются в полупровод-
ник p-типа, компенсируя свободные дырки вблизи зоны контакта. В то же вре-
мя дырки из дырочного материала устремляются в электронный полупровод-
ник, связывая свободные электроны вблизи контакта материалов. Через незна-
чительное время процесс обмена носителями прекратится, поскольку в полу-
проводнике p-типа оголятся отрицательные ионы, что препятствует дальней-
шему переходу электронов из n-полупроводника, а в полупроводнике n-типа
оголятся положительные ионы, мешая движению дырок через p-n-переход. Об-
разуется p-n-переход (рисунок 3.2а), ширина которого w зависит от концентра-
ции примесей и от разности энергий Ферми в исходных материалах. Р-n-
переход – это область объёмных неподвижных зарядов, в которых практически
отсутствуют свободные носители зарядов. В результате образования p-n-
перехода энергия Ферми оказывается одинаковой во всем материале. Обычно
процесс образования перехода демонстрируется энергетическими диаграммами
(рисунок 3.2б).