Электромагнетизм. Булгаков Н.А - 17 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

C
L
R ⋅=
2
кр
(9)
называется критическим.
Характер изменения заряда (напряжения) на обкладках конденсатора или тока в катушке индуктивности при зату-
хающих колебаниях и апериодическом разряде изображен на рис. 2,
а, б.
а) б)
Рис. 2
Описание установки
Исследование свободных затухающих колебаний проводится на установке, блок-схема которой показана на рис. 3, а.
Здесь ГИ – генератор кратковременных импульсов,
RCL – колебательный контур, МУ – мостик Уитстона, ЭО – элек-
тронный осциллограф.
R
М У
Г И
C
L
Э О
а)
L
1
C
1
C
2
C
3
C
8
C
9
C
10
L
2
L
8
R
L
9
«Грубо» «Плавно»
L
10
б)
Рис. 3
Развёрнутая схема колебательного контура дана на рис. 3,
б. Варьирование параметрами контура (ёмкостью, индук-
тивностью и омическим сопротивлением) на установке осуществляется следующим образом: ёмкостью – посредством
переключателя «
С» в контур вводится один из набора конденсаторов С
1
– С
10
; индуктивность изменяется переключателем
«
L» путем последовательного подключения к катушке L
1
аналогичных, соединенных между собой, катушек в блоке L
2
–
L
10
. Например: индуктивность L
1
= L, а L
4
= L + L + L + L = 4L, L
6
= 6L. Активное сопротивление подбирается с помощью
переключателей «
R» посредством ступенчатого подключения последовательно соединенных резисторов («грубо») и по-
следовательно соединенного с ними переменного резистора («плавно»). Значения ёмкостей и индуктивностей указаны на
установке. Величина полного омического сопротивления контура, включая сопротивление обмоток соответствующих
катушек индуктивностей, измеряется встроенным в установку стандартным мостиком
Уитстона (МУ).
Заряд конденсатора
C
i
осуществляется кратковременными (∆t
1
) импульсами напря-
жения с большими промежутками между ними, выдаваемыми генератором импульсов ГИ.
В промежутках
∆t
2
(∆t
2
>>∆t
1
) происходят затухающие колебания в контуре (рис. 4; 2, а),
наблюдаемые на экране осциллографа, подключенного к омическому сопротивлению
R.
Амплитуда напряжения на обкладках конденсатора меняется по закону:
ω
2π
=T
q
0
t = NT
q
q
t
t
q(t)
q(t + T)
0
U
t
∆t
1
∆t
2
∆t
1
∆t
2
Рис. 4

Страницы