ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Исследование свободных затухающих колебаний проводится на установке, блок-схема которой показана на рис. 3,
а.
Здесь ГИ – генератор кратковременных импульсов,
RCL – колебательный контур, МУ – мостик Уитстона, ЭО – электронный
осциллограф.
R
М У
Г И
C
L
Э О
а)
L
1
C
1
C
2
C
3
C
8
C
9
C
10
L
2
L
8
R
L
9
«Грубо» «Плавно»
L
10
б)
Рис. 3
Развёрнутая схема колебательного контура дана на рис. 3,
б. Варьирование параметрами контура (ёмкостью,
индуктивностью и омическим сопротивлением) на установке осуществляется следующим образом: ёмкостью – посредством
переключателя «
С» в контур вводится один из набора конденсаторов С
1
– С
10
; индуктивность изменяется переключателем
«
L» путём последовательного подключения к катушке L
1
аналогичных, соединенных между собой, катушек в блоке L
2
– L
10
.
Например: индуктивность
L
1
= L, а L
4
= L + L + L + L = 4L, L
6
= 6L. Активное сопротивление подбирается с помощью
переключателей «
R» посредством ступенчатого подключения последовательно соединенных резисторов («грубо») и
последовательно соединенного с ними переменного резистора («плавно»). Значения ёмкостей и индуктивностей указаны на
установке. Величина полного омического сопротивления контура, включая сопротивление обмоток соответствующих
катушек индуктивностей, измеряется встроенным в установку стандартным мостиком Уитстона (МУ).
Заряд конденсатора
C
i
осуществляется кратковременными (∆t
1
) импульсами напряжения с большими промежутками
между ними, выдаваемыми генератором импульсов (ГИ). В промежутках
∆t
2
(∆t
2
>> ∆t
1
) происходят затухающие колебания
в контуре (рис. 4; 2,
а), наблюдаемые на экране осциллографа (ЭО), подключенного к омическому сопротивлению R.
Рис. 4
Амплитуда напряжения на обкладках конденсатора меняется по закону:
t
eUU
β−
=
0
,
где
U
0
– величина амплитудного напряжения в момент времени t = 0.
U
t
∆
t
1
∆
t
2
∆
t
1
∆
t
2
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 35
- 36
- 37
- 38
- 39
- …
- следующая ›
- последняя »
