Наноразмерные структуры: классификация, формирование и исследование. Булыгина Е.В - 48 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МГТУ им. Баумана | Москва

Составители: 

Рубрика: 

5
Рис.6.10. АСМ – метод латеральных сил.
АСМ – отображение сопротивления растекания возможно при использовании
проводящего зонда АСМ, находящегося в контакте с поверхностью образца. К зонду
прикладывается напряжение смещение и проводятся измерения результирующего тока через
образец в зависимости от положения зонда одновременно с получением данных о рельефе по
Методу Постоянной Силы. При постоянном контактном сопротивлении зонд-поверхность при
заданном смещении величина тока пропорциональна локальному сопротивлению исследуемого
образца. Отображение Сопротивления Растекания может быть также использовано и при
анализе сложных структур, таких как интегральные схемы.
Рис.6.11. АСМ – отображение сопротивления растекания.
АСМ – контактная емкостная микроскопия - в процессе проведения Контактной
Емкостной Микроскопии определяется изменение реакции зонда над поверхностью образца
при приложении различных напряжений. В результате строится относительная характеристика
изменения поверхностной емкости. КЕМ позволяет определять зоны с различной
электрической емкостью, такие как зоны различной степени легирования в полупроводнике. 
                           Рис.6.10. АСМ – метод латеральных сил.
    АСМ – отображение сопротивления растекания            возможно при использовании
проводящего зонда АСМ, находящегося в контакте с поверхностью образца. К зонду
прикладывается напряжение смещение и проводятся измерения результирующего тока через
образец в зависимости от положения зонда одновременно с получением данных о рельефе по
Методу Постоянной Силы. При постоянном контактном сопротивлении зонд-поверхность при
заданном смещении величина тока пропорциональна локальному сопротивлению исследуемого
образца. Отображение Сопротивления Растекания может быть также использовано и при
анализе сложных структур, таких как интегральные схемы.




                   Рис.6.11. АСМ – отображение сопротивления растекания.
    АСМ – контактная емкостная микроскопия - в процессе проведения Контактной
Емкостной Микроскопии определяется изменение реакции зонда над поверхностью образца
при приложении различных напряжений. В результате строится относительная характеристика
изменения поверхностной емкости. КЕМ позволяет определять зоны с различной
электрической емкостью, такие как зоны различной степени легирования в полупроводнике.
                                                                                    5

Страницы