Электроника. Бурькова Е.В. - 24 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

24
4 Лабораторная работа №4. Исследование биполярного
транзистора
Цель:
1. Анализ зависимости коэффициента усиления по постоянному току от
тока коллектора.
2. Исследование работы биполярного транзистора в режиме отсечки.
3. Получение входных и выходных характеристик транзистора.
4. Определение коэффициента передачи по переменному току.
5. Исследование динамического входного сопротивления транзистора.
4.1 Краткие сведения из теории
Биполярный транзистор – полупроводниковый прибор с двумя взаимо-
действующими выпрямляющими p-n-переходами и тремя выводами, усили-
тельные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции не-
основных носителей заряда. В биполярном транзисторе используются одновре-
менно два типа носителей заряда – электроны и дырки (отсюда и название –
биполярный). Переходы транзистора образованы тремя областями с чередую-
щимися типами проводимости.
При включении биполярного транзистора с ОЭ цепь базы является вход-
ной, а цепь коллектора – выходной. Схема включения транзистора с ОЭ в ак-
тивном режиме показана на рисунке 4.1.
Физические процессы в транзисторе с ОЭ аналогичны при включении
транзистора с ОБ. Под действием напряжения Uбэ в цепи эмиттера проходит
ток Iэ. В базе этот ток разветвляется. Основная его часть идет в коллектор, соз-
давая управляемую составляющую тока коллектора, другая часть – в цепь базы,
определяя ток базы рекомбинации. Навстречу току рекомбинации в базе прохо-
дит обратный ток коллектора Iкбо.
К
Э
Б
Iк
Iэ
Iб
Uбэ Uкэ
Рисунок 4.1 - Схема включения транзистора с ОЭ в активном режиме
Выходными статическими характеристиками транзистора с ОЭ является
семейство характеристик Iк = f (Uкэ) при Iб = const
Вид этих характеристик отражает особенности работы транзистора с ОЭ в
различных режимах (рисунок 4.2). 
    4 Лабораторная работа №4. Исследование биполярного
транзистора

     Цель:

     1. Анализ зависимости коэффициента усиления по постоянному току от
         тока коллектора.
     2. Исследование работы биполярного транзистора в режиме отсечки.
     3. Получение входных и выходных характеристик транзистора.
     4. Определение коэффициента передачи по переменному току.
     5. Исследование динамического входного сопротивления транзистора.

     4.1 Краткие сведения из теории

      Биполярный транзистор – полупроводниковый прибор с двумя взаимо-
действующими выпрямляющими p-n-переходами и тремя выводами, усили-
тельные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции не-
основных носителей заряда. В биполярном транзисторе используются одновре-
менно два типа носителей заряда – электроны и дырки (отсюда и название –
биполярный). Переходы транзистора образованы тремя областями с чередую-
щимися типами проводимости.
      При включении биполярного транзистора с ОЭ цепь базы является вход-
ной, а цепь коллектора – выходной. Схема включения транзистора с ОЭ в ак-
тивном режиме показана на рисунке 4.1.
      Физические процессы в транзисторе с ОЭ аналогичны при включении
транзистора с ОБ. Под действием напряжения Uбэ в цепи эмиттера проходит
ток Iэ. В базе этот ток разветвляется. Основная его часть идет в коллектор, соз-
давая управляемую составляющую тока коллектора, другая часть – в цепь базы,
определяя ток базы рекомбинации. Навстречу току рекомбинации в базе прохо-
дит обратный ток коллектора Iкбо.

                                               Iк
                                          К
                                  Б

                                 Iб
                          Uбэ         Э             Uкэ
                                          Iэ




     Рисунок 4.1 - Схема включения транзистора с ОЭ в активном режиме

     Выходными статическими характеристиками транзистора с ОЭ является
семейство характеристик Iк = f (Uкэ) при Iб = const
     Вид этих характеристик отражает особенности работы транзистора с ОЭ в
различных режимах (рисунок 4.2).

24

Страницы