Электроника. Бурькова Е.В. - 25 стр.

                                      Iк                      Pmax




                    Режим насыщения
                                      I          II     Iб3             III

                                                        Iб2

                                                        Iб1

                                                        Iб=0

                                          0                                          -Uкэ
                                              Режим отсечки
            Рисунок 4.2 – Выходные характеристики транзистора с ОЭ

      В активном режиме и режиме насыщения эмиттерный переход включает-
ся в прямом направлении. Под действием напряжения в цепи базы проходит ток
Iб. За счет напряжения Uбэ при нулевом напряжении коллектора оба p-n–
перехода транзистора смещены в прямом направлении. Транзистор работает в
режиме насыщения и через коллектор проходит ток инжекции, направление ко-
торого противоположно направлению коллекторного тока в активном режиме.
В базе накапливаются неосновные носители заряда.
      С появлением небольшого отрицательного напряжения на коллекторе ток
инжекции из коллектора уменьшается, а ток обусловленный экстракцией дырок
из базы в коллектор увеличивается. Поэтому при увеличении отрицательного
напряжения коллектора до значения Uкэ = Uбэ наблюдается значительный рост
коллекторного тока. При |Uкэ| > |Uбэ| транзистор из режима насыщения пере-
ходит в активный режим. Рост коллекторного тока при дальнейшем увеличении
отрицательного напряжения Uкэ замедляется. Но наклон выходных характери-
стик в схеме с ОЭ оказывается больше, чем в схеме с ОБ.
      Увеличение тока базы вызывает увеличение коллекторного тока, то есть
смещение выходных характеристик вверх.
      Входные характеристики. Входные характеристики транзистора с ОЭ
(рисунок 4.3) отображают зависимость Iб = f (Uбэ) при Uкэ = const

                                                         Iб
                                                               Uкэ=0В
                                                                               -5В


                                                                              -10В

                                                      Iко 0
                                                                                     Uбэ

             Рисунок 4.3 – Входные характеристики транзистора с ОЭ

     При Uкэ = 0 оба p-n-перехода транзистора оказываются включенными в
прямом направлении. Из эмиттера и коллектора осуществляется инжекция ды-

                                                                                            25