Электроника. Бурькова Е.В. - 27 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

27
R
ВХОБ
=
U
БЭ
/
I
Э
= (U
БЭ2
– U
БЭ1
)/(I
Э2
–I
Э1
)
Через параметры транзистора это сопротивление определяется выражением:
R
ВХОБ
= R
Б
/
+ R
Э
Первым слагаемым в выражении можно пренебречь, поэтому можно
считать, что дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер прибли-
зительно равно: R
ВХОБ
= R
Э
В режиме отсечки полярности и значения напряжений U
КЭ
и U
БЭ
таковы,
что коллекторный и эмиттерный переходы смещены в обратном направлении.
В этом случае через эмиттерный переход проходит обратный ток I
ЭБО
, а через
коллекторный переход – ток I
КБО
. Во входной цепи проходит ток базы
I
Б
= I
ЭБО
+ I
КБО
4.2 Порядок проведения экспериментов
Эксперимент 1. Определение статического коэффициента передачи
транзистора по постоянному току
DC
в схеме с ОЭ.
Построить и включить схему, изображенную на рисунке 4.4 (с10_001).
Рисунок 4.4 - Схема включения биполярного транзистора с ОЭ
Записать результаты измерения тока коллектора I
К
, тока базы I
Б
и напря-
жения коллектор-эмиттер U
КЭ
в таблицу 4.1 раздела "Результаты эксперимен-
тов". По полученным результатам подсчитать статический коэффициент пере-
дачи тока
DC
транзистора. Повторить измерения и расчет коэффициента пере-
дачи для значений Eb =2,68 В; 5 В. Результаты занести в таблицу.
Эксперимент 2. Измерение обратного тока коллектора.
На схеме рисунок 4.1 изменить номинал источника ЭДС Eb = О В. Вклю-
чить схему. Записать результаты измерения тока коллектора I
К
для данных зна-
чений тока базы I
Б
и напряжения коллектор-эмиттер U
КЭ
в раздел "Результаты
экспериментов".
Эксперимент 3. Получение выходной характеристики транзистора в
схеме с ОЭ. 
                  RВХОБ = UБЭ/IЭ = (UБЭ2 – UБЭ1)/(IЭ2 –IЭ1)
Через параметры транзистора это сопротивление определяется выражением:
                             RВХОБ = RБ/ + RЭ
      Первым слагаемым в выражении можно пренебречь, поэтому можно
считать, что дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер прибли-
зительно равно:      RВХОБ = RЭ
      В режиме отсечки полярности и значения напряжений UКЭ и UБЭ таковы,
что коллекторный и эмиттерный переходы смещены в обратном направлении.
В этом случае через эмиттерный переход проходит обратный ток IЭБО, а через
коллекторный переход – ток IКБО. Во входной цепи проходит ток базы
                                  IБ = IЭБО+ IКБО

     4.2 Порядок проведения экспериментов

     Эксперимент 1. Определение статического коэффициента передачи
транзистора по постоянному току DC в схеме с ОЭ.
     Построить и включить схему, изображенную на рисунке 4.4 (с10_001).




       Рисунок 4.4 - Схема включения биполярного транзистора с ОЭ

      Записать результаты измерения тока коллектора IК, тока базы IБ и напря-
жения коллектор-эмиттер UКЭ в таблицу 4.1 раздела "Результаты эксперимен-
тов". По полученным результатам подсчитать статический коэффициент пере-
дачи тока DC транзистора. Повторить измерения и расчет коэффициента пере-
дачи для значений Eb =2,68 В; 5 В. Результаты занести в таблицу.
      Эксперимент 2. Измерение обратного тока коллектора.
      На схеме рисунок 4.1 изменить номинал источника ЭДС Eb = О В. Вклю-
чить схему. Записать результаты измерения тока коллектора IК для данных зна-
чений тока базы IБ и напряжения коллектор-эмиттер UКЭ в раздел "Результаты
экспериментов".
      Эксперимент 3. Получение выходной характеристики транзистора в
схеме с ОЭ.

                                                                         27

Страницы