Электроника. Бурькова Е.В. - 28 стр.

      а) В схеме (рисунок 4.4) провести измерения тока коллектора IК для каж-
дого значения ЕК и Еb и заполнить таблицу 4.2 в разделе "Результаты экспери-
ментов". По данным таблицы построить семейство выходных характеристик
транзистора с ОЭ, график зависимости IК от ЕК, при различных значениях тока
базы IБ.
      б) Открыть файл c10_002.ca4 со схемой, изображенной на рисунке 4.5.
      Отобразить осциллограмму выходной характеристики, соблюдая мас-
штаб, в разделе "Результаты экспериментов". Повторить измерения для каждо-
го значения Еb из таблицы 4.2. Осциллограммы выходных характеристик для
разных токов базы отобразить в разделе "Результаты экспериментов" на одном
графике.
      в) По выходной характеристике найти коэффициент передачи транзисто-
ра по переменному току AC при изменении базового тока с 10 мА до 30 мA, ЕК
= 10 В. Результат записать в раздел "Результаты экспериментов".




Рисунок 4.5 – Схема для получения выходных характеристик транзистора с ОЭ

      Эксперимент 4 Получение входной характеристики транзистора в
схеме с ОЭ.
      а) Открыть файл c10_001.ca4 (рисунок 4.4). Установить значение напря-
жения источника ЕК равным 10 В и провести измерения тока базы IБ, напряже-
ния база-эмиттер UБЭ тока эмиттера IЭ для различных значений напряжения ис-
точника Еb в соответствии с таблицей 4.3 в разделе "Результаты эксперимен-
тов". Обратить внимание, что коллекторный ток примерно равен току в цепи
эмиттера.
      б) В разделе "Результаты экспериментов" по данным таблицы 4.3 постро-
ить график зависимости тока базы от напряжения база-эмиттер.
      в) Открыть файл c10_003.ca4 со схемой, изображенной на рис. 4.6. Вклю-
чить схему. Отобразить входную характеристику транзистора, соблюдая мас-
штаб, в разделе "Результаты экспериментов".



28