Электроника. Бурькова Е.В. - 26 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

26
рок в базу. В цепи базы проходит ток рекомбинации обоих переходов. Поэтому
входная характеристика представляет собой ВАХ двух параллельно включен-
ных p-n-переходов.
При Uкэ < 0 коллекторный переход включается в обратном направлении
и в цепи базы проходит ток Iб>0.
Если Uбэ = 0, то Iэ = 0 и в цепи базы проходит ток Iб = – Iкбо. Увеличе-
ние напряжения Uбэ сопровождается рекомбинационной составляющей тока
базы, и при некотором напряжении Uбэ ток базы становится равным нулю.
Дальнейшее увеличение напряжения Uбэ сопровождается ростом тока базы.
При увеличении отрицательного напряжения коллектора наблюдается смеще-
ние характеристик в сторону оси токов. Это связано с прохождением обратного
тока коллектора Iкбо.
Статический коэффициент передачи транзистора по постоянному току
определяется как отношение тока коллектора I
К
к току базы I
Б
:
DC

I
К
/ I
Б
Статический коэффициент передачи транзистора по переменному току
определяется как отношение приращения тока коллектора I
К
к приращению то-
ка базы I
Б
:
AC

I
К
/
I
Б
Выходными статическими характеристиками транзистора, включенного
с ОЭ является семейство характеристик
I
К
= f(U
КЭ
)/ I
Б
=const
Входными статическими характеристиками транзистора, включенного с
ОЭ является семейство характеристик
I
Б
= f(U
БЭ
) / U
КЭ
=const
Дифференциальное входное сопротивление R
ВХ
транзистора в схеме с
общим эмиттером (ОЭ) определяется при фиксированном значении напряже-
ния коллектор-эмиттер U
КЭ
. Оно может быть найдено как отношение прираще-
ния напряжения база-эмиттер к вызванному им приращению тока базы:
R
ВХ
=
U
БЭ
/
I
Б
= (U
БЭ2
– U
БЭ1
)/(I
Б2
–I
Б1
)
Дифференциальное входное сопротивление транзистора R
ВХ
в схеме с ОЭ
через параметры транзистора определяется следующим выражением:
R
ВХ
= R
Б
+
R
Э
,
где R
Б
- распределенное сопротивление базовой области полупроводника,
R
Э
- дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер, определяемое из
выражения: R
Э
= 25/I
Э
, где I
Э
- постоянный ток эмиттера в миллиамперах. Пер-
вое слагаемое R
Б
в выражении много меньше второго, поэтому им можно пре-
небречь:
R
ВХ
=
R
Э
Дифференциальное сопротивление R
Э
перехода база-эмиттер для бипо-
лярного транзистора сравнимо с дифференциальным входным сопротивлением
R
ВХ
транзистора в схеме с общей базой, которое определяется при фиксирован-
ном значении напряжения база-коллектор U
БК
. Оно может быть найдено как от-
ношение приращения напряжения U
БК
к вызванному им приращению тока
эмиттера I
Э
: 
рок в базу. В цепи базы проходит ток рекомбинации обоих переходов. Поэтому
входная характеристика представляет собой ВАХ двух параллельно включен-
ных p-n-переходов.
      При Uкэ < 0 коллекторный переход включается в обратном направлении
и в цепи базы проходит ток Iб>0.
      Если Uбэ = 0, то Iэ = 0 и в цепи базы проходит ток Iб = – Iкбо. Увеличе-
ние напряжения Uбэ сопровождается рекомбинационной составляющей тока
базы, и при некотором напряжении Uбэ ток базы становится равным нулю.
Дальнейшее увеличение напряжения Uбэ сопровождается ростом тока базы.
При увеличении отрицательного напряжения коллектора наблюдается смеще-
ние характеристик в сторону оси токов. Это связано с прохождением обратного
тока коллектора Iкбо.
      Статический коэффициент передачи транзистора по постоянному току
определяется как отношение тока коллектора IК к току базы IБ:
                                   DCIК/ IБ
      Статический коэффициент передачи транзистора по переменному току
определяется как отношение приращения тока коллектора IК к приращению то-
ка базы IБ:                               ACIК/ IБ
      Выходными статическими характеристиками транзистора, включенного
с ОЭ является семейство характеристик
                                 IК = f(UКЭ)/ IБ=const
      Входными статическими характеристиками транзистора, включенного с
ОЭ является семейство характеристик
                                IБ = f(UБЭ) / UКЭ=const
      Дифференциальное входное сопротивление RВХ транзистора в схеме с
общим эмиттером (ОЭ) определяется при фиксированном значении напряже-
ния коллектор-эмиттер UКЭ. Оно может быть найдено как отношение прираще-
ния напряжения база-эмиттер к вызванному им приращению тока базы:
                     RВХ = UБЭ/IБ = (UБЭ2 – UБЭ1)/(IБ2 –IБ1)
      Дифференциальное входное сопротивление транзистора RВХ в схеме с ОЭ
через параметры транзистора определяется следующим выражением:
                                 RВХ = RБ + RЭ,
      где RБ - распределенное сопротивление базовой области полупроводника,
RЭ - дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер, определяемое из
выражения: RЭ = 25/IЭ, где IЭ - постоянный ток эмиттера в миллиамперах. Пер-
вое слагаемое RБ в выражении много меньше второго, поэтому им можно пре-
небречь:
                                    RВХ = RЭ
      Дифференциальное сопротивление RЭ перехода база-эмиттер для бипо-
лярного транзистора сравнимо с дифференциальным входным сопротивлением
RВХ транзистора в схеме с общей базой, которое определяется при фиксирован-
ном значении напряжения база-коллектор UБК. Оно может быть найдено как от-
ношение приращения напряжения UБК к вызванному им приращению тока
эмиттера IЭ:

26

Страницы