Электроника. Бурькова Е.В. - 29 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

29
Рисунок 4.6 – Схема для получения входных характеристик транзистора с ОЭ
г) По входной характеристике найти сопротивление R
ВХ
при изменении
базового тока с 10мA до 30 мA. Результат записать в раздел "Результаты экс-
периментов".
4.3 Результаты экспериментов
Эксперимент 1. Определение коэффициента передачи транзистора по
постоянному току.
Таблица 4.1
Еb (В)
I
Б
(мкА)
U
КЭ
(В)
I
К
(мА)
DC
2.68
5.00
5.70
Эксперимент 2. Измерение обратного тока коллектора.
Обратный ток коллектора Iко=
Ток базы транзистора Iб=
Напряжение коллектор-эмитер Uкэ=
Эксперимент 3 Получение выходной характеристики транзистора в схе-
ме с ОЭ.
Таблица 4.2 – Данные для выходных характеристик
Е
К
(В)
Еb (В)
I
Б
(мкА)
1
5
10
20
1.66
2.68
3.68
4.68
5.7 
Рисунок 4.6 – Схема для получения входных характеристик транзистора с ОЭ

     г) По входной характеристике найти сопротивление RВХ при изменении
базового тока с 10мA до 30 мA. Результат записать в раздел "Результаты экс-
периментов".

     4.3 Результаты экспериментов

     Эксперимент 1. Определение коэффициента передачи транзистора по
постоянному току.
     Таблица 4.1
       Еb (В)    IБ (мкА)    UКЭ (В)   IК (мА)    DC
       2.68
       5.00
       5.70
      Эксперимент 2. Измерение обратного тока коллектора.
      Обратный ток коллектора              Iко=
      Ток базы транзистора                 Iб=
      Напряжение коллектор-эмитер           Uкэ=
      Эксперимент 3 Получение выходной характеристики транзистора в схе-
ме с ОЭ.
      Таблица 4.2 – Данные для выходных характеристик
                                      ЕК(В)
      Еb (В)    IБ (мкА)    0.1   0.5 1 5        10   20
      1.66
      2.68
      3.68
      4.68
      5.7


                                                                        29

Страницы