ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Рис. 1. Конструктивно технологические ограничения при разработке
топологии ИМС на биполярных транзисторах.
2. Основные правила изложения и оформления текста
Объем пояснительной записки курсового задания обычно составляет 20-25
страниц. При ее написании необходимо строго выполнять все требования,
предъявляемые к оформлению научно -технических работ. Ниже приведены
основные правила оформления текста и графического материала задания, многие
из которых могут быть полезны и при оформлении отчетов по НИРС, курсовых и
дипломных работ.
Варианты 11.1 - 11.4.
Поз.
χ
R
, χ
Rs
,
P
н
, Номинал
обозн. % % мВт 11.1 11.2 11.3 11.4
R1 10 2 0,05 40к 50к 60к 50к
R2 10 2 0,05 20к 25к 27к 22к
R3 10 4 0,04 12к 14к 16к 12,4к
R4 10 4 0,1 500 550 630 600
Топология диодов VD1 - VD4 и транзисторов VT1 - VT4 выбирается из
банка данных о топологии.
Фотолитография позволяет получить минимальный размер элементов
l
min
= 2 мкм с абсолютной погрешностью ∆ l = 0,5 мкм.
Схема работает в диапазоне температур (-20 ... +65)°С.
Р
о
= 5·10
-8
Вт/мкм²; j
k
= 10
-6
А/мкм²
В вариантах 11.1 и 11.3 использовать изоляцию р-п переходом, а в
вариантах 11.2 и 11.4- диэлектриком.
10
35
PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version http://www.fineprint.com
В а р и а нты 11.1 - 11.4.
Ри с. 1. Ко нстр укти вно те х но ло ги че ски е о гр а ни че ни я п р и р а зр а б о тке
то п о ло ги и И М С на б и п о ляр ных тр а нзи сто р а х .
2. О сно вные п р а ви ла и зло ж е ни я и о фо р мле ни я те кста П о з. χR, χRs, Pн , Н о ми на л
о б о зн. % % мВ т 11.1 11.2 11.3 11.4
О б ъе м п о ясни те льно й за п и ски кур со во го за да ни я о б ычно со ста вляе т20-25 R1 10 2 0,05 40к 50к 60к 50к
стр а ни ц. П р и е е на п и са ни и не о б х о ди мо стр о го вып о лнять все тр е б о ва ни я, R2 10 2 0,05 20к 25к 27к 22к
п р е дъявляе мые к о фо р мле ни ю на учно -те х ни че ски х р а б о т. Н и ж е п р и ве де ны R3 10 4 0,04 12к 14к 16к 12,4к
о сно вные п р а ви ла о фо р мле ни я те кста и гр а фи че ско го ма те р и а ла за да ни я, мно ги е R4 10 4 0,1 500 550 630 600
и з ко то р ых мо гутб ыть п о ле зны и п р и о фо р мле ни и о тче то в п о Н И РС, кур со вых и
ди п ло мных р а б о т. То п о ло ги я ди о до в VD1 - VD4 и тр а нзи сто р о в VT1 - VT4 выб и р а е тся и з
б а нка да нны х о то п о ло ги и .
Ф о то ли то гр а фи я п о зво ляе т п о лучи ть ми ни ма льный р а зме р эле ме нто в
lmin = 2 мкм с а б со лю тно й п о гр е ш но стью ∆l = 0,5 мкм.
Сх е ма р а б о та е тв ди а п а зо не те мп е р а тур (-20 ... +65)°С.
Р о = 5·10-8 В т/мкм²; jk = 10-6 А/мкм²
В ва р и а нта х 11.1 и 11.3 и сп о льзо ва тьи зо ляци ю р -п п е р е х о до м, а в
ва р и а нта х 11.2 и 11.4- ди эле ктр и ко м.
10 35
PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version http://www.fineprint.com
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- …
- следующая ›
- последняя »
