ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Расстояние между краем контактного окна в окисле к базе и краем
базы d
10
3
Расстояние между эмиттерной и базовой областями d
11
3
Расстояние между краем контактного окна в окисле к эмиттеру и
краем эмиттера d
12
3
Расстояние между контактным окном к базе и эмиттером d
13
4
Расстояние между базовыми областями , сформированными в одном
коллекторе
9
Расстояние между эмиттерными областями , сформированными в
одной базе
6
Расстояние между контактным окном к коллектору и областью
разделительной диффузии d
14
10
Размеры контактного окна к базе d
15
4x6
Размеры контактного окна к эмиттеру d
16
4x4 или
3 х 5
Ширина области подлегирования n+-слоя в коллекторе d
17
8
Ширина контактного окна к коллектору d
18
4
Ширина резистора d
19
5
Размеры окна вскрытия в окисле 2,5x2,5
Перекрытие металлизацией контактных окон в окисле к элементам
ИМС d
20
2
Расстояние от края контактного окна к p+-разделительным
областям для подачи смещения до края области разделения
d
21
6
Расстояние от края контактного окна к изолированным областям n-
типа для подачи смещения до края области разделения d
22
6
Ширина диффузионной перемычки 3
Размер окна в пассивирующем окисле d
23
100x100
Расстояние от края окна в пассивации до края контактной
площадки d
24
6
Расстояние между соседними резисторами d
25
7
Расстояние между диффузионными и ионно -легированными
резисторами
4
Расстояние между контактной площадкой и проводящей дорожкой
d
26
20
Ширина скрытого n+-слоя 4
Расстояние между контактными площадками тестовых элементов 40
Варианты 12.1 - 12.4.
Поз.
χ
R
, χ
Rs
,
P
н
, Номинал
обозн. % % мВт 12.1 12.2 12.3 12.4
R1 20 5 2 2,6к 2,4к 2,8к 3к
R2 20 5 2 510 560 600 750
R3 20 5 1 3к 3,5к 3,6к 4к
R4 20 5 1 630 680 700 720
R5 20 5 2 150 180 160 140
Топологию транзисторов и диода VD5 выбрать из банка данных,
топологию диодов VD1-VD4 сконструировать самостоятельно с учетом
конструктивно -технологических ограничений и оптимальных характеристик.
l
min
= 5 мкм, ∆l = 1,5 мкм, Т = (-20...+65)
О
С, Ро = 5*10
-7
Вт/мкм²,
j
k
= 5*10
-6
А/мкм².
В вариантах 12.1 и 12.2 изоляция р-п переходом Uип = 4В , 12.3 и 12.4 изоляция
диэлектриком U
ип
= 4В .
9
36
PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version http://www.fineprint.com
В а р и а нты 12.1 - 12.4. Ра ссто яни е ме ж ду кр а е м ко нта ктно го о кна в о ки сле к б а зе и кр а е м
б а зы d10 3
Ра ссто яни е ме ж ду эми тте р но й и б а зо во й о б ла стями d11 3
Ра ссто яни е ме ж ду кр а е м ко нта ктно го о кна в о ки сле к эми тте р у и
кр а е м эми тте р а d12 3
Ра ссто яни е ме ж ду ко нта ктным о кно м к б а зе и эми тте р о м d13 4
Ра ссто яни е ме ж ду б а зо выми о б ла стями , сфо р ми р о ва нными в о дно м
ко лле кто р е 9
Ра ссто яни е ме ж ду эми тте р ными о б ла стями , сфо р ми р о ва нными в
о дно й б а зе 6
Ра ссто яни е ме ж ду ко нта ктным о кно м к ко лле кто р у и о б ла стью
р а зде ли те льно й ди ффузи и d14 10
Ра зме р ы ко нта ктно го о кна к б а зе d15 4x6
Ра зме р ы ко нта ктно го о кна к эми тте р у d16 4x4 и ли
3х 5
Ш и р и на о б ла сти п о дле ги р о ва ни я n+-сло я в ко лле кто р е d17 8
Ш и р и на ко нта ктно го о кна к ко лле кто р у d18 4
Ш и р и на р е зи сто р а d19 5
Ра зме р ы о кна вскр ыти я в о ки сле 2,5x2,5
П е р е кр ыти е ме та лли за ци е й ко нта ктных о ко н в о ки сле к эле ме нта м
П о з. χR, χRs , Pн , Н о ми на л И М С d20 2
о б о зн. % % мВ т 12.1 12.2 12.3 12.4 Ра ссто яни е о ткр а я ко нта ктно го о кна к p+-р а зде ли те льным
R1 20 5 2 2,6к 2,4к 2,8к 3к о б ла стям для п о да чи сме щ е ни я до кр а я о б ла сти р а зде ле ни я 6
R2 20 5 2 510 560 600 750 d21
R3 20 5 1 3к 3,5к 3,6к 4к Ра ссто яни е о ткр а я ко нта ктно го о кна к и зо ли р о ва нным о б ла стям n-
R4 20 5 1 630 680 700 720 ти п а для п о да чи сме щ е ни я до кр а я о б ла сти р а зде ле ни я d22 6
R5 20 5 2 150 180 160 140 Ш и р и на ди ффузи о нно й п е р е мычки 3
Ра зме р о кна в п а сси ви р ую щ е м о ки сле d23 100x100
Ра ссто яни е о ткр а я о кна в п а сси ва ци и до кр а я ко нта ктно й 6
То п о ло ги ю тр а нзи сто р о в и ди о да VD5 выб р а ть и з б а нка да нны х , п ло щ а дки d24
то п о ло ги ю ди о до в VD1-VD4 ско нстр уи р о ва ть са мо сто яте льно с уче то м Ра ссто яни е ме ж ду со се дни ми р е зи сто р а ми d25 7
ко нстр укти вно -те х но ло ги че ски х о гр а ни че ни й и о п ти ма льных х а р а кте р и сти к.
Ра ссто яни е ме ж ду ди ффузи о нными и и о нно -ле ги р о ва нными 4
lmin= 5 мкм, ∆l = 1,5 мкм, Т= (-20...+65) О С, Ро = 5*10-7 В т/мкм², р е зи сто р а ми
jk = 5*10-6 А/мкм². Ра ссто яни е ме ж ду ко нта ктно й п ло щ а дко й и п р о во дящ е й до р о ж ко й 20
В ва р и а нта х 12.1 и 12.2 и зо ляци я р -п п е р е х о до м Uи п = 4В , 12.3 и 12.4 и зо ляци я d26
Ш и р и на скр ыто го n+-сло я 4
ди эле ктр и ко м Uи п = 4В . Ра ссто яни е ме ж ду ко нта ктными п ло щ а дка ми те сто вых эле ме нто в 40
36 9
PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version http://www.fineprint.com
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- …
- следующая ›
- последняя »
