ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
свободном месте кристалла .
17. Для удобства работы с кристаллом его форму следует максимально
приблизить к квадратной.
1.3. Конструктивно -технологические ограничения при разработке топологии
ИМС
Как уже отмечалось, при разработке топологии ИМС площади
изолированных областей делают как можно меньшими . Это позволяет повысить
плотность упаковки микросхемы и уменьшить паразитные емкости переходов
коллектор-подложка , влияющих на их характеристики. Площадь изолированной
области определяется геометрическими размерами размещаемых внутри нее
элементов, а также расстояниями , которые необходимо выдержать между ними и
границами изолированной области .
При проведении топологического проектирования необходимо учитывать,
что реальные зазоры между элементами и областями элементов, зависят от ухода
p-n перехода под край маскирующего окисла . Можно считать, что этот уход
составляет 0,8 от глубины диффузии в вертикальном направлении. Для
определения топологических зазоров нужно также учитывать технологические
погрешности , возникающие в основном при проведении процессов диффузии и
фотолитографии.
Табл.1
Минимально допустимые размеры, мкм
Ширина линии скрайбирования слоя 60
Расстояние от центра скрайбирующей полосы до края слоя
металлизации или до края диффузионной области
50-100
Размер контактных площадок для термокомпрессионной приварки
проводников d
1
100x100
Расстояние между контактными площадками d
2
70
Размер контактных площадок тестовых элементов рабочей схемы 50х 50
Ширина проводника d
3
при длине ≤ 50 мкм 4
при длине ≥ 50 мкм 6
Расстояние между проводниками d
4
при длине ≤ 50 мкм 3
при длине ≥ 50 мкм 4
Ширина области разделительной диффузии d
5
4
Расстояние от базы до области разделительной диффузии d
6
10
Расстояние между краем области подлегирования коллекторного
контакта и краем разделительной области d
7
10
Расстояние между краем разделительной области и краем скрытого
n+-слоя d
8
10
Расстояние между краем контактного окна в окисле к коллектору и
краем базы
d
9
7
Варианты 13.1 - 13.4.
Поз.
χ
R
, χ
Rs
,
P
н
, Номинал
обозн. % % мВт 13.1 13.2 13.3 13.4
R1,R5 20 2 1 4к 6,1к 2,1к 5к
R2,R6 15 4 0,5 1,6к 2,5к 840 2к
R3,R7 20 4 0,5 1к 1,4к 560 1,2к
R4,R8 15 2 2 0,4к 0,3к 0,2к 0,5к
Топологию транзисторов выбрать из банка данных.
l
min
= 2 мкм, ∆l = 0,5 мкм, Т = (-20...+65)
о
С, Ро = 5*10
-7
Вт/мкм²,
j
k
= 5*10
-6
А/мкм².
В варианте 13.1 и 13.3 - изоляция р-п переходом, 13.2 и 13.4 - комбинированная.
8
37
PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version http://www.fineprint.com
сво б о дно м ме сте кр и ста лла .
17. Д ля удо б ства р а б о ты с кр и ста лло м е го фо р му сле дуе т ма кси ма льно В а р и а нты 13.1 - 13.4.
п р и б ли зи тьк ква др а тно й.
1.3. Ко нстр укти вно -те х но ло ги че ски е о гр а ни че ни я п р и р а зр а б о тке то п о ло ги и
ИМ С
Ка к уж е о тме ча ло сь, п р и р а зр а б о тке то п о ло ги и И М С п ло щ а ди
и зо ли р о ва нных о б ла сте й де ла ю тка к мо ж но ме ньш и ми . Э то п о зво ляе т п о выси ть
п ло тно сть уп а ко вки ми кр о сх е мы и уме ньш и ть п а р а зи тные е мко сти п е р е х о до в
ко лле кто р -п о дло ж ка , вли яю щ и х на и х х а р а кте р и сти ки . П ло щ а дь и зо ли р о ва нно й
о б ла сти о п р е де ляе тся ге о ме тр и че ски ми р а зме р а ми р а зме щ а е мых внутр и не е
эле ме нто в, а та кж е р а ссто яни ями , ко то р ые не о б х о ди мо выде р ж а ть ме ж ду ни ми и
гр а ни ца ми и зо ли р о ва нно й о б ла сти .
П р и п р о ве де ни и то п о ло ги че ско го п р о е кти р о ва ни я не о б х о ди мо учи тыва ть,
что р е а льные за зо р ы ме ж ду эле ме нта ми и о б ла стями эле ме нто в, за ви сято тух о да
p-n п е р е х о да п о д кр а й ма ски р ую щ е го о ки сла . М о ж но счи та ть, что это т ух о д
со ста вляе т 0,8 о т глуб и ны ди ффузи и в ве р ти ка льно м на п р а вле ни и. Д ля
о п р е де ле ни я то п о ло ги че ски х за зо р о в нуж но та кж е учи тыва ть те х но ло ги че ски е
п о гр е ш но сти, во зни ка ю щ и е в о сно вно м п р и п р о ве де ни и п р о це ссо в ди ффузи и и
фо то ли то гр а фи и .
Та б л.1
М и ни ма льно до п усти мые р а зме р ы, мкм
Ш и р и на ли ни и скр а йб и р о ва ни я сло я 60
Ра ссто яни е о тце нтр а скр а йб и р ую щ е й п о ло сы до кр а я сло я
ме та лли за ци и и ли до кр а я ди ффузи о нно й о б ла сти 50-100
Ра зме р ко нта ктных п ло щ а до к для те р мо ко мп р е сси о нно й п р и ва р ки
п р о во дни ко в d1 100x100
Ра ссто яни е ме ж ду ко нта ктными п ло щ а дка ми d2 70
Ра зме р ко нта ктных п ло щ а до к те сто вых эле ме нто в р а б о че й сх е мы 50х 50
Ш и р и на п р о во дни ка d3
П о з. χR, χRs, Pн , Н о ми на л
о б о зн. % % мВ т 13.1 13.2 13.3 13.4
п р и дли не ≤ 50 мкм 4
R1,R5 20 2 1 4к 6,1к 2,1к 5к
п р и дли не ≥ 50 мкм 6
R2,R6 15 4 0,5 1,6к 2,5к 840 2к
Ра ссто яни е ме ж ду п р о во дни ка ми d4
R3,R7 20 4 0,5 1к 1,4к 560 1,2к
п р и дли не ≤ 50 мкм 3
R4,R8 15 2 2 0,4к 0,3к 0,2к 0,5к
п р и дли не ≥ 50 мкм 4
Ш и р и на о б ла сти р а зде ли те льно й ди ффузи и d5 4
Ра ссто яни е о тб а зы до о б ла сти р а зде ли те льно й ди ффузи и d6 10
Ра ссто яни е ме ж ду кр а е м о б ла сти п о дле ги р о ва ни я ко лле кто р но го То п о ло ги ю тр а нзи сто р о в выб р а тьи з б а нка да нны х .
ко нта кта и кр а е м р а зде ли те льно й о б ла сти d7 10 lmin = 2 мкм, ∆l = 0,5 мкм, Т= (-20...+65)о С, Ро = 5*10-7 В т/мкм²,
Ра ссто яни е ме ж ду кр а е м р а зде ли те льно й о б ла сти и кр а е м скр ыто го jk = 5*10-6 А/мкм².
n+-сло я d8 10 В ва р и а нте 13.1 и 13.3 - и зо ляци я р -п п е р е х о до м, 13.2 и 13.4 - ко мб и ни р о ва нна я.
Ра ссто яни е ме ж ду кр а е м ко нта ктно го о кна в о ки сле к ко лле кто р у и
кр а е м б а зы d9 7
8 37
PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version http://www.fineprint.com
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »
