Расчёт и проектирование гибридных микросхем. Дикарев Ю.И. - 16 стр.

 1. П о фор мул е (1.7) Опр ед ел яемзнач ение                                            М атер иал д иэ л ек тр ик а: SiO ( ε = 5; EПР = 2⋅106 В /см; αC = 2⋅10-4 1 / гр ад ;
                                     10 + 1 + 100                                         Д иапазон р абоч ихтемпер атур : ( - 60 ... + 120 ° С ).
                       R   опт   =                  = 10 к Ом/ .
                                     0,1 + 0,01 + 1                                       М асштаб ч ер тежа : 20:1 - миллиметр овка .
 Изтабл . 1.1 в ы бир аемматер иал р езистив нойпл енк и с бл ижайшимзнач ением           Кор пyc - с од ностор онними в ы в од ами с шагомих
 R . П од ход ящим по э тому пар аметр у яв л яется к е р ме тК - 50 С ( R =              р аспол ожения 2,5 мм.
 10 к Ом/ , αR = − 5⋅10-4 1/° С , P0 = 20 мВ т/мм2 ).                                       2.3.2. Анали зт ехни ческого зад ани я и сост авлени е схем ы соед и нени й
                                                                                                                      (ком м ут аци онной п лат ы )
 2. П р ов ер яемпр ав ил ьность в ы бор а матер иал а д л я R1                           1. В се пассив ны е э л ементы (R1 - R4, С 1 - С З) в пол не р е ал изуются в
                       ℵRт= 5⋅10 (100 − 20) 100% = 4%,
                                      -4
                                                                                          пл еноч номв ар ианте и нетнеобход имости их в ы пол нения в д иск р етном
                        ℵКфд оп = 5 − 4 − 2,5 − 0,3 < 0.                                  в ид е ил и в ы носа за пр ед ел ы к ор пуса ГИМ С.
                                                                                          2. Н ав е сной тр анзистор КТ331А по св оимпар аметр амуд ов л етв ор яет
Э то означ ае т, ч то изготов л е ние R1 с зад анной точ ностью не в озможно.
                                                                                          зад анны мтр ебов аниям.
Н еобход имо в ы бр ать д р угойматер иал с меньшимℵRт. Н аименьшее знач ение
                                                                                          С уч етомп.п. 1 и 2 в к ач е ств е пл еноч ны х э л ементов в ы бир аемв се
αR имеетспл ав РС -3001 (R = 2 к Ом/ , αR = -0,2⋅10 -4 1/° С , Р0 = 50 мВ т/мм2).
                                                                                          р е зистор ы , к онд енсатор ы и пр ов од ник и, а в к ач е ств е нав е сного
Опр ед ел яемд л я него
                                                                                          к омпонента - тр анзистор КТ331А .
                      ℵRт= 0,2⋅10-4 80 ⋅ 100 % = 0,16 %,                                  С остав л яемк оммутационную схему ( р ис. 2.4 ).
                     ℵКфд оп = 5 − 0,16 − 2,5 − 0,3 = 2,04 %.

С л ед ов ател ьно, спл ав PC-3001 под ход итд л я изготов л ения в сехр е зистор ов .
 3. Опр ед ел яемк оэ ффициентфор мы р езистор ов : К Ф 1 = 5; К Ф 2 = 0,5; К Ф 3 = 50.

 Д л я R1 и R2 в ы бир аемпол оск ов ую фор му, д л я R3 - фор мумеа ндр а .
 4. Е сл и метод изготов л ения р е зистор а не зад ан, то изанал иза точ ностны х
      д анны х и пл ощ ад и под л ожк и в ы бир ают способ пол уч е ния
      к онфигур ации р е зистор а. В д анномсл уч ае пол уч ение ℵR1 = 5 % и ∆l =                                  Р и с. 2.4 Ком м ут аци онная схем а.
      ∆b = 5 мк мможетобе спеч ить тол ьк о ф отолитогр а ф ия.
                                                                                                          2.3.3. Р асчет т оп ологи и п леночны х элем ент ов
 Д ал ее пр ов од имр асч етд л я к ажд ого р е зистор а.

                                                                                                                    Расч етR1 = 1 к Ом± 15 %; 2 мВ т
                                 Р асчет рези ст ора R1
                                                                                          1. ℵRт= αR ⋅ ( Тмак с − ТK ) = 2⋅10-4⋅100⋅100 % = 2 %.

П о фор мул ам( 1.8 − 1.10 ) опр ед ел яемb1р асч .                                       2. ℵК ф д оп = ℵR − ℵR − ℵRт− ℵRст= 15 − 5 − 2 − 1 = 7%.
                                                                                          3. К Ф = RН / R = 1000 / 500 = 2.
                                                                                                                       Δ b ⋅ (К Ф + 1) 10 ⋅ 3
                                                                                          4. bтехн = 200мк м; bточ н =                =        = 214,2 мк м;
                                                                                                                        К Ф ⋅ ℵКфд оп 2 ⋅ 0,07
                                             16                                                                                       69