Расчёт и проектирование гибридных микросхем. Дикарев Ю.И. - 17 стр.

                       2.3 П Р ИМ ЕР Р АЗР АБО ТК И ГИМ С
                                                                                                                                      5 ⋅( 5 + 1)
                               2.3.1 Исход ны е д анны е                                                                 b1точ н =                = 294 ,1 мк м;
                                                                                                                                      5 ⋅ 0 ,0204

Разр аботать топол огию ГИМ С, пр инципиал ьная схема к отор ой пр ив ед ена                                             b1р = 8 /( 5 ⋅ 10 −5 ⋅ 5 ) = 178 ,8 мк м.
на р ис. 2.3. С остав ить табл ицук оор д инатд л я в ер хнейобк л ад к и к онд енсатор а   П р инимаемзнач ение bтоп = 300 мк м.
С2.                                                                                         Тогд а д л ина р е зистор а

                                                                                                                         300 ⋅ ( 10 − 2 ⋅ 0,1 ⋅ 2 )
                                                                                                             l1р асч =                              = 1440 мк м;
                                                                                                                                      2
                                                                                                                               l1 топ = 1450 мк м;
                                                                                                                l пол н топ = 1450 + 2 ⋅ 300 = 2050 мк м.

                                                                                            П л ощад ь р е зистор а S1 = 2050⋅300 = 0,615 мм2.


                                                                                                                                   Р асчет рези ст ора R2


                                                                                            Н аход имзнач ение ℵКфд оп д л я э того р е зистор а:
               Р и с. 2.3 П ри нци п и альная элект ри ческая схем а.                                        ℵКфд оп = 15 − 2,5 − 0,16 − 0,3 = 12,04 %.
                                                                                            П о фор мул ам(1.14 − 1.16) опр ед ел яем
   П оз.                Н аиме нов ание                Кол ич еств о П р име ч ание
  Обозн.                                                                                                                              5 + 5 ⋅ 0 ,5
                                                                                                                         l 2точ н =                = 62 ,5 мк м;
                                                                                                                                       0 ,1204
    VT      Тр анзистор КТ 331 А                              1
                                                                                                                                      10 ⋅ 0 ,5
    R1      Ре зистор 1 к Ом ±15 %, 2 мВ т                    1                                                           l 2р =                = 316 ,2 мк м.
                                                                                                                                      5 ⋅10 −5
    R2      Ре зистор 290 Ом±20 %, 6 мВ т                     1
    R3      Ре зистор 4 к Ом ±15 %, 10 мВ т                   1                             П р инимаемl2топ = 325 мк м.
                                                                                            Тогд а
    R4      Ре зистор 15 к Ом±15 %, 10 мВ т                   1
   С1,С 2   Конд е нсатор 3350 пФ ±15 %, 10 В                                                                                2 ⋅ 325
                                                              2                                              b 2р асч =                   = 1083 мк м,             b 2топ = 1075 мк м.
    СЗ      Конд е нсатор 620 пФ ±15 %, 10 В                  1                                                           1 − 2 ⋅ 0,1 ⋅ 2
                                                                                            Так к ак b2топ состав л яетзнач ител ьную в ел ич ину, то не имеетсмы сл а в ы бир ать
М етод созд ания пл еноч ны хэ л ементов - масоч ны й с ∆l = ∆b = ∆A = ∆В =                 1K = b2топ. В ы бер емизтабл ицы к онстр ук тив но-технол огич е ск ихогр анич ений
10 мк м; β = ± 50 мк м,                                                                     1K = 200 мк м.
 ℵR = 5 %; ℵR = 1 %; ℵС 0 = 5 %; ℵС = 1 %.
                  СТ                            СТ                                          Тогд а с уч етомпер ек р ытия к онтак тныхпл ощад ок bпол н = 325 + 2 ⋅ 200 = 725
П е р ек р ы тие нижней и в ер хней обк л ад ок : q = 200 мк м.                             мк м.
П е р ек р ы тие нижней обк л ад к и и д иэ л ек тр ик а: f = 100 мк м.                     П л ощад ь р е зистор а S2 = 725 ⋅ 1075 = 0,790 мм2.
М атер иал р е зистор а: М Л Т-3 (R = 500 Ом/ ; Р0 = 2 В т/см2 ; αR = 2⋅10-4 1/гр ад

                                           68                                                                                                    17