Расчёт и проектирование гибридных микросхем. Дикарев Ю.И. - 19 стр.

      В А РИА Н Т 7.1 – 7.4                    В А РИА Н Т 8.1 – 8.4




                                                                                                                                               a)




                                                                                                                   б)                                          в)
                                                                                   Р и с.1.5 Топ ологи чески е черт еж и рези ст оров R1(a), R2(б), R3(в).
  П оз.     ℵR,ℵC, ℵR ,ℵC0, PH, мВ т,                Н оминал
 Обозн.                       UP,В                                             1.1.4 Р асчет и п роект и ровани е т оп ологи и т олст оп леночны х рези ст оров
              %         %                  1          2         3       4
                                                                                  Е сл и в од ной ГИМ С ил и М С Б , изготав л ив аемой по тол стопл еноч ной
R1, R2        20         5      2        11к         13к     15к       16к
                                                                               технол огии, отношение номинал ов Rmin/Rmax > 5, то д л я пол уч ения пл еноч ны х
R3            20         5      2        1,8к         2к     2,4к      2,7к
                                                                               р е зистор ов на од ной пл ате р е к оме нд уе тся испол ьзов ание не ск ол ьк их
R4,R5         20         5      2        9,1к        10к     11к       13к
                                                                               р е зистив ны х паст. П р и э том в се р е зистор ы д ол жны иметь п р ямоуголь ную
R6            15         3      1        910          1к     1,1к      1,3к
                                                                               п олосковую ф ор му с 0,2 ≤ К Ф ≤ 0,6. П оск ол ьк у в пр оце ссе пр оизв од ств а
R7,R8         20         5      1        200         220      230      250
                                                                               тол стопл еноч ны х р е зистор ов ч р е зв ы ч айно тр уд но обе спеч ить пр иемл емую
C1            20         5     10         82         100      91       150
                                                                               точ ность сопр отив л ения, пр именяется л азер ная под гонк а номинал ов . В связи
С2            20         5     10         18          25      27        33
                                                                               с э тим р асч етр е зистор ов на точ ность не пр оизв од ят. В остал ьном р асч ет
С З - С4*     -          -     10        0,015      0,015    0,02      0,033
                                                                               тол стопл е ноч ны х р е зистор ов пр ов од я т по той же схе ме ч то и д л я
                                                                               тонк опл еноч ны х.
R1,R2         15         3      1        9,1 к       10к      13к      15к
                                                                                  Исход ны м д анны ми д л я р асч е та яв л яются номина л р езистор а RH;
R3            20         5      1        1,3к        1,5к    1,2к      1,6к
                                                                               номина ль на я мощ ность PH; п р едель но доп устима я удель на я мощ ность
R4            20         5      5        910          1к      820      850
                                                                               р а ссеяния р е зистив ной пл енк и (смтабл .2.2) относитель на я п огр еш ность
                                                                               изготовления р е зистор ов д о под гонк и ℵR %.
Cl*           -          -     10        0,033      0,033    0,033     0,033
С2            20         5     10         91         100      91       100          В нач ал е в се р е зистор ы гр уппир уютпо знач ениямRH и по фор мул е (1.7)
                                                                               опр ед ел яютоптимал ьное соотношение R оптд л я к ажд ой гр уппы р е зистор ов .
                                                                               Затемд л я к ажд ой гр уппы в ы бир аютпасту(табл .2.2) с уд ел ьны мзнач ением

                                    66                                                                                  19