Расчёт и проектирование гибридных микросхем. Дикарев Ю.И. - 21 стр.

UptoLike

Составители: 

21
Для резисторов , имеющих К
Ф
< 1 расчет начинают с определения длины
по формулам:
l
расч
max {l
техн
, l
р
},
,)/()(≥
Ф
K
0HPp
PPKl
l
техн
= 0,8 мм,
b
расч
= l
расч
/ К
Ф
.
На заключительной стадии формирования резистора проводят плавную
лазерную подгонку. При подгонке разрез формируют либо сначала поперек
резистора, затем - вдоль резистора, либо под углом. Точность изготовления
резисторов с подгонкой в условиях массового производства достигает 2 %.
1.1.5. Контактные пленочные сопротивления
Омические контакты между резистивным слоем и контактной
площадкой определяют надежность пленочных резисторов и ИМС в целом.
На рис. 1.6 показаны разновидности конструкций пленочных переходных
контактов , формируемых к резисторам методом напыления через маски или
методом фотолитографии.
а) б) в )
Рис. 1.6. Разновидности конструкций плёночных конденсаторов
Минимальное сопротивление таких контактов определяется по формуле:
,ρ=
/bRR
KKmin
(1.25)
где ρ
Κ
- удельное сопротивление контакта, Оммм
2
.
Под удельным переходным сопротивлением понимают сопротивление
64
Во всех вариантах: перекрытие нижней и верхней обкладок конденсатора
q = 200 мкм, перекрытие нижней обкладки и диэлектрика f = 100 мкм.
Масштаб чертежей 20:1, шаг координатной сетки - 0,5 мм, координатная
сетка - миллиметровка .
ВАРИАНТ 3.1 3.4 ВАРИАНТ 4.1 4.4
Номинал Поз.
Обозн .
R
,
C
,
%
R
,
C0
,
%
P
H
, мВт,
U
P
,В
1 2 3 4
R
1,
R
5,
R
6
15
2
5
9,1к
7,5к
R
2
20
4
3
R
3
15
3
5
8,2к
7,5к
6,2к
6,8к
R4 20 5 5 2,5к 2,2к 2,4к 2,0к
C
1
20
5
10
33
27
30
47
С2
-
С4*
-
-
10
0,015
0,015
0,015
0,015
R1,R5,R6
20
5
5
R2 20 5 1 330 350 510 470
R
3
20
5
1
1,5к
1,8к
2,0к
1,7к
R4 15 3 2 6,8к 5,1к 5,7к 6,2к
C1 20 5 10 430 410 470 330
С2
-
С4*
-
-
10
0,01
0,01
0,015
0,015
* - здесь и далее - навесной конденсатор К10 - 9М с
C
= 20 %.
   В о в сехв ар иантах: пер ек р ы тие нижнейи в ер хнейобк л ад ок к онд енсатор а    Д л я р е зистор ов , имеющихК Ф < 1 р асч етнач инаютс опр ед ел ения д л ины
q = 200 мк м, пер ек р ы тие нижней обк л ад к и и д иэ л ек тр ик а f = 100 мк м.      по фор мул ам:
М асштаб ч ер тежей 20:1, шаг к оор д инатной сетк и - 0,5 мм, к оор д инатная                                          lр асч ≥ max {lтехн, lр },
сетк а - миллиметр овка .
                                                                                                                       l p ≥ ( K P PH ) /( P0 K Ф ) ,
       В А РИА Н Т 3.1 – 3.4                         В А РИА Н Т 4.1 – 4.4                                                 lтехн = 0,8 мм,
                                                                                                                          bр асч = lр асч / К Ф .

                                                                                       Н а зак л юч ител ьной стад ии фор мир ов ания р е зистор а пр ов од ятпл ав ную
                                                                                       л азер ную под гонк у. П р и под гонк е р азр е зфор мир уютл ибо снач ал а попер ек
                                                                                       р е зистор а, затем- в д ол ь р е зистор а, л ибо под угл ом. Точ ность изготов л ения
                                                                                       р е зистор ов с под гонк ой в усл ов иях массов ого пр оизв од ств а д остигает2 %.

                                                                                                      1.1.5. Конт акт ны е п леночны е соп рот и влени я


                                                                                                Омич е ск ие к онтак ты ме жд у р е зистив ны м сл ое м и к онтак тной
                                                                                       пл ощад к ой опр ед ел яютнад ежность пл еноч ны хр е зистор ов и ИМ С в цел ом.
                                                                                       Н а р ис. 1.6 пок азаны р азнов ид ности к онстр ук ций пл еноч ны х пер еход ны х
   П оз.     ℵR,ℵC, ℵR ,ℵC0, PH, мВ т,                      Н оминал                   к онтак тов , фор мир уемы хк р е зистор амметод омнапы л ения ч ер е змаск и ил и
  Обозн.        %           %       UP,В                                               метод ом фотол итогр афии.
                                                 1          2          3      4
R1,R5,R6        15          2         5         9,1к       10к      11к      7,5к
R2              20          4         3         400        510      470       430
R3              15          3         5         8,2к      7,5к      6,2к     6,8к
R4              20          5         5         2,5к      2,2к      2,4к     2,0к
C1              20          5        10          33         27       30        47
С 2 - С4*        -          -        10        0,015      0,015    0,015     0,015
                                                                                                      а)                           б)                      в)

R1,R5,R6        20          5         5        10к         13к      15к       13к          Р и с. 1.6. Р азнови д ност и конст рукци й п лё ночны х конд енсат оров
R2              20          5         1        330         350      510       470
R3              20          5         1        1,5к        1,8к     2,0к     1,7к         М инима ль ное соп р отивление так ихк онтак тов опр ед ел яется по фор мул е:
R4              15          3         2        6,8к        5,1к     5,7к     6,2к
                                                                                                                               R Kmin = R ρK /b ,                     (1.25)
C1              20          5        10        430         410      470       330
С 2 - С4*        -          -        10        0,01        0,01    0,015     0,015
                                                                                       гд е ρΚ - удель ное соп р отивление конта кта , Ом⋅мм2.
* - зд е сь и д ал ее - нав е сной к онд енсатор К10 - 9М с ℵC = 20 %.
                                                                                            П одудель ны м п ер еходны м соп р отивлением понимаютсопр отив л ение

                                          64                                                                                       21