ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
21
Для резисторов , имеющих К
Ф
< 1 расчет начинают с определения длины
по формулам:
l
расч
≥ max {l
техн
, l
р
},
,)/()(≥
Ф
K
0HPp
PPKl
l
техн
= 0,8 мм,
b
расч
= l
расч
/ К
Ф
.
На заключительной стадии формирования резистора проводят плавную
лазерную подгонку. При подгонке разрез формируют либо сначала поперек
резистора, затем - вдоль резистора, либо под углом. Точность изготовления
резисторов с подгонкой в условиях массового производства достигает 2 %.
1.1.5. Контактные пленочные сопротивления
Омические контакты между резистивным слоем и контактной
площадкой определяют надежность пленочных резисторов и ИМС в целом.
На рис. 1.6 показаны разновидности конструкций пленочных переходных
контактов , формируемых к резисторам методом напыления через маски или
методом фотолитографии.
а) б) в )
Рис. 1.6. Разновидности конструкций плёночных конденсаторов
Минимальное сопротивление таких контактов определяется по формуле:
,ρ=
/bRR
KKmin
(1.25)
где ρ
Κ
- удельное сопротивление контакта, Ом⋅мм
2
.
Под удельным переходным сопротивлением понимают сопротивление
64
Во всех вариантах: перекрытие нижней и верхней обкладок конденсатора
q = 200 мкм, перекрытие нижней обкладки и диэлектрика f = 100 мкм.
Масштаб чертежей 20:1, шаг координатной сетки - 0,5 мм, координатная
сетка - миллиметровка .
ВАРИАНТ 3.1 – 3.4 ВАРИАНТ 4.1 – 4.4
Номинал Поз.
Обозн .
ℵ
R
,
ℵ
C
,
%
ℵ
R
,
ℵ
C0
,
%
P
H
, мВт,
U
P
,В
1 2 3 4
R
1,
R
5,
R
6
15
2
5
9,1к
10к
11к
7,5к
R
2
20
4
3
400
510
470
430
R
3
15
3
5
8,2к
7,5к
6,2к
6,8к
R4 20 5 5 2,5к 2,2к 2,4к 2,0к
C
1
20
5
10
33
27
30
47
С2
-
С4*
-
-
10
0,015
0,015
0,015
0,015
R1,R5,R6
20
5
5
10к
13к
15к
13к
R2 20 5 1 330 350 510 470
R
3
20
5
1
1,5к
1,8к
2,0к
1,7к
R4 15 3 2 6,8к 5,1к 5,7к 6,2к
C1 20 5 10 430 410 470 330
С2
-
С4*
-
-
10
0,01
0,01
0,015
0,015
* - здесь и далее - навесной конденсатор К10 - 9М с ℵ
C
= 20 %.
В о в сехв ар иантах: пер ек р ы тие нижнейи в ер хнейобк л ад ок к онд енсатор а Д л я р е зистор ов , имеющихК Ф < 1 р асч етнач инаютс опр ед ел ения д л ины q = 200 мк м, пер ек р ы тие нижней обк л ад к и и д иэ л ек тр ик а f = 100 мк м. по фор мул ам: М асштаб ч ер тежей 20:1, шаг к оор д инатной сетк и - 0,5 мм, к оор д инатная lр асч ≥ max {lтехн, lр }, сетк а - миллиметр овка . l p ≥ ( K P PH ) /( P0 K Ф ) , В А РИА Н Т 3.1 – 3.4 В А РИА Н Т 4.1 – 4.4 lтехн = 0,8 мм, bр асч = lр асч / К Ф . Н а зак л юч ител ьной стад ии фор мир ов ания р е зистор а пр ов од ятпл ав ную л азер ную под гонк у. П р и под гонк е р азр е зфор мир уютл ибо снач ал а попер ек р е зистор а, затем- в д ол ь р е зистор а, л ибо под угл ом. Точ ность изготов л ения р е зистор ов с под гонк ой в усл ов иях массов ого пр оизв од ств а д остигает2 %. 1.1.5. Конт акт ны е п леночны е соп рот и влени я Омич е ск ие к онтак ты ме жд у р е зистив ны м сл ое м и к онтак тной пл ощад к ой опр ед ел яютнад ежность пл еноч ны хр е зистор ов и ИМ С в цел ом. Н а р ис. 1.6 пок азаны р азнов ид ности к онстр ук ций пл еноч ны х пер еход ны х П оз. ℵR,ℵC, ℵR ,ℵC0, PH, мВ т, Н оминал к онтак тов , фор мир уемы хк р е зистор амметод омнапы л ения ч ер е змаск и ил и Обозн. % % UP,В метод ом фотол итогр афии. 1 2 3 4 R1,R5,R6 15 2 5 9,1к 10к 11к 7,5к R2 20 4 3 400 510 470 430 R3 15 3 5 8,2к 7,5к 6,2к 6,8к R4 20 5 5 2,5к 2,2к 2,4к 2,0к C1 20 5 10 33 27 30 47 С 2 - С4* - - 10 0,015 0,015 0,015 0,015 а) б) в) R1,R5,R6 20 5 5 10к 13к 15к 13к Р и с. 1.6. Р азнови д ност и конст рукци й п лё ночны х конд енсат оров R2 20 5 1 330 350 510 470 R3 20 5 1 1,5к 1,8к 2,0к 1,7к М инима ль ное соп р отивление так ихк онтак тов опр ед ел яется по фор мул е: R4 15 3 2 6,8к 5,1к 5,7к 6,2к R Kmin = R ρK /b , (1.25) C1 20 5 10 430 410 470 330 С 2 - С4* - - 10 0,01 0,01 0,015 0,015 гд е ρΚ - удель ное соп р отивление конта кта , Ом⋅мм2. * - зд е сь и д ал ее - нав е сной к онд енсатор К10 - 9М с ℵC = 20 %. П одудель ны м п ер еходны м соп р отивлением понимаютсопр отив л ение 64 21
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- …
- следующая ›
- последняя »