ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
22
единицы площади контактного слоя току, протекающему по нормали к
контакту. Величина ρ
Κ
зависит от технологии изготовления микросхем. При
получении контакта на многопозиционных высоковакуумных установках,
позволяющих проводить цикл напылений без разгерметизации установок ,
ρ
Κ
= 0,05 ÷ 0,25 Ом⋅мм
2
. При создании контакта на установках с
разгерметизацией вакуумной камеры величина может увеличиваться до 2,5
÷ 5 Ом⋅мм
2
.
Максимально допустимую величину сопротивления пленочного контакта
переходного материала вычисляют по формуле:
R
Kmin
= ℵ
Rk
⋅R/2
где R - сопротивление резистора Ом, ℵ
Rk
- относительная погрешность
сопротивления резистора, обусловленная образованием переходных
контактов , % (обычно ℵ
Rk
выбирается равной 1-3 %).
При расчете может получиться, что R
Kmin
> R
Kдоп
. В таком случае необходимо
уменьшить значение R
Kmin
за счет увеличения ширины резистора. Если
увеличение небольшое (20-50%), то оно принимается и производится
соответствующее увеличение длины по формуле l = b⋅К
Ф
. Если увеличение
большое , то следует перейти к «гантелеобразному резистору» (рис. 1.6 б).
При этом контактная площадка не должна перекрывать расширенную часть
на величину γ.
Минимальная длина переходного контакта определяется по формуле
.ρ,≥
/R51l
KKmin
(1.27)
Полная длина переходного контакта l
K
и ширина проводящей пленки b
K
вычисляются по формулам:
l
K
≥ l
Kmin
+ ∆l + γ; (1.28)
b
K
≥ b + 2∆b + γ; (1.29)
1.1.6. Пример расчета контактного перехода
Определить полную длину контактного перехода пленочного резистора
со следующими исходными данными :
63
2.2.2. Варианты технического задания.
Технические задания могут быть использованы только в учебных целях, т.к .
для упрощения разработки топологии значения C
H
, R
H
в некоторых вариантах
отличаются от оптимальных.
В нечетных вариантах (1.1, 1.3,... 10.1, 10.3) метод создания пленочных
элементов - масочный с абсолютными погрешностями воспроизведения
геометрических размеров ∆l = ∆b = ∆А = ∆В = 10 мкм и точностью
совмещения масок β = ± 50 мкм; диапазон рабочих температур ∆ Т = ( −
55...+ 85 )° С. В четных - фотолитографический с ∆l = ∆b = ∆А = ∆В = 2
мкм и β = ±5 мкм, a ∆Т = ( − 60...+ 120 )° С .
ВАРИАНТ 1.1 – 1.4 ВАРИАНТ 2.1 – 2.4
Номинал Поз.
Обозн .
ℵ
R
,
ℵ
C
,
%
ℵ
R
,
ℵ
C0
,
%
P
H
, мВт,
U
P
,В
1 2 3 4
R
1
20
5
2
11к
10к
9,1к
12к
R
2
15
3
1
1к
910
750
800
С1
20
5
10
2200
1500
3300
2700
R
1
20
5
2
15к
13к
12к
11к
R
2
15
3
1
1,1к
1,2к
1,5к
1,3к
R
3
20
5
2
390
430
470
510
R
4
20
5
2
1,8к
1,5к
1,8к
1,бк
R
5
15
3
1
1,3к
1,5к
1,3к
1,5к
С1
20
5
10
3300
3900
2700
4000
ед иницы пл ощад и к онтак тного сл оя ток у, пр оте к ающему по нор мал и к 2.2.2. Вари ант ы т ехни ческого зад ани я. к онтак ту. В ел ич ина ρΚ зав иситоттехнол огии изготов л ения мик р осхем. П р и пол уч ении к онтак та на многопозиционны х в ы сок ов ак уумны х установ к ах, Технич е ск ие зад ания могутбы ть испол ьзов аны тол ьк о в уч ебны хцел ях, т.к . позв ол яющих пр ов од ить цик л напы л ений бе з р азгер метизации установ ок , д л я упр ощения р азр аботк и топол огии знач ения CH, RH в нек отор ыхв ар иантах ρ Κ = 0,05 ÷ 0,25 Ом⋅мм2. П р и созд ании к онтак та на установ к ах с отл ич аются отоптимал ьны х. р азгер метизацией в ак уумной к амер ы в ел ич ина можетув ел ич ив аться д о 2,5 В неч етны х в ар иантах (1.1, 1.3,... 10.1, 10.3) метод созд ания пл еноч ны х ÷ 5 Ом⋅мм2. э л ементов - ма сочны й с абсол ютны ми погр е шностями в оспр оизв ед ения М а ксима ль но доп устимую величину соп р отивления пл еноч ного к онтак та геометр ич е ск их р азмер ов ∆ l = ∆ b = ∆ А = ∆ В = 10 мк м и точ ностью пер еход ного матер иал а в ы ч исл яютпо фор мул е: сов мещения масок β = ± 50 мк м; д иапазон р абоч их темпер атур ∆Т = ( − RKmin = ℵRk ⋅R/2 55...+ 85 )° С . В ч етны х - ф отолитогр а ф ическийс ∆l = ∆b = ∆А = ∆В = 2 гд е R - соп р отивление р езистор а Ом, ℵRk - относитель на я п огр еш ность мк ми β = ±5 мк м, a ∆Т = ( − 60...+ 120 )° С . В А РИА Н Т 1.1 – 1.4 В А РИА Н Т 2.1 – 2.4 сопр отив л е ния р е зистор а, обусл ов л е нная обр азов ание м пе р е ход ны х к онтак тов , % (обы ч но ℵRk в ы бир ается р ав ной 1-3 %). П р и р асч ете можетпол уч иться, ч то RKmin > RKд оп . В так омсл уч ае необход имо уме ньшить знач е ние RKmin за сч етув е л ич ения шир ины р е зистор а. Е сл и ув е л ич е ние не бол ьшое (20-50%), то оно пр инимае тся и пр оизв од ится соотв етств ующее ув ел ич ение д л ины по фор мул е l = b⋅К Ф . Е сл и ув ел ич ение бол ьшое, то сл ед уетпер ейти к «га нтелеобр а зному р езистор у» (р ис. 1.6 б). П р и э томк онтак тная пл ощад к а не д ол жна пер ек р ы в ать р асшир енную ч асть на в ел ич инуγ. М инима ль на я длина п ер еходногоконта кта опр ед ел яется по фор мул е lKmin ≥ 1,5 ρK /R . (1.27) Поз. ℵR,ℵC, ℵR ,ℵC0, PH, мВ т, Н оминал П олна я длина п ер еходного конта кта lK и шир ина пр ов од ящей пл енк и bK Обозн. UP,В % % 1 2 3 4 в ы ч исл яются по фор мул ам: R1 20 5 2 11к 10к 9,1к 12к lK ≥ lKmin + ∆l + γ; (1.28) R2 15 3 1 1к 910 750 800 bK ≥ b + 2∆b + γ; (1.29) С1 20 5 10 2200 1500 3300 2700 1.1.6. П ри м ер расчет а конт акт ного п ереход а R1 20 5 2 15к 13к 12к 11к R2 15 3 1 1,1к 1,2к 1,5к 1,3к Опр ед ел ить пол ную д л инук онтак тного пер еход а пл еноч ного р е зистор а R3 20 5 2 390 430 470 510 со сл ед ующими исход ны ми д анны ми: R4 20 5 2 1,8к 1,5к 1,8к 1,бк R5 15 3 1 1,3к 1,5к 1,3к 1,5к С1 20 5 10 3300 3900 2700 4000 22 63
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- …
- следующая ›
- последняя »