ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
37
Исходные данные для расчета С
Н
, пФ ; ℵ
С
, %; U
Р
, В ; технологические
ограничения.
Рис. 1.11 Топологический чертёж конденсатора (масштаб не соблюдался).
Порядок расчета: Сначала по исходным данным выбирают диэлектрическую
пасту и проводящие пасты для нижней и верхней обкладок и определяют
площадь верхней обкладки:
0
С
С
S
Н
B
=
Затем, задавшись приемлемым линейным размером (для прямоугольной
формы ) или приняв А
В
= В
В
(для квадратной формы ) по (1.47 и 1.48)
рассчитывают геометрические размеры обкладок и диэлектрика. При этом
учитывают, что q = 300 мкм, а f = 200 мкм. При конструировании
толстопленочных конденсаторов прямоугольную форму выбирают лишь в
тех случаях, когда квадратная форма по каким-либо причинам неудобна.
После этого определяют площадь, занимаемую конденсатором, и проводят
оценку добротности и стабильности .
1.3. ПЛЕНОЧНЫЕ ИНДУКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
Индуктивные элементы широко распространены в аналоговых ГИМС. Они
48
2. ПРОЕКТИРОВАНИЕ ТОПОЛОГИ ГИБРИДНЫХ МИКРОСХЕМ
2.1 ПРАВИЛА ПРОЕКТИРОВАНИЯ
2.1.1 Общие положения
Разработка ГИМС представляет собой комплекс мероприятий, направленных
на создание комплекта конструкторской документации, предназначенного
для изготовления и контроля микросхем. Исходными данными для
проектирования являются:
а ) техническое задание (ТЗ) для разработки микросхемы или серии
микросхем;
б) принципиальная электрическая схема :
в ) технологические возможности и ограничения, т. е. сведения о
технологических процессах и оборудовании, которые могут использоваться
для изготовления ГИМС.
Техническое задание включает технические требования (функцию,
электрические характеристики и параметры разрабатываемой микросхемы ,
напряжение питания и т.п.); эксплуатационные требования (по
климатическим и механическим воздействиям); требования по надежности
( время безотказной работы , срок службы и т.д .); требования к хранению (в
складских условиях, в полевых условиях); конструктивные требования (тип
и размер корпуса, требования к выводам, вес и т.п.).
Наиболее творческой работой в процессе проектирования ГИМС является
разработка топологического чертежа, определяющего взаимное расположение
всех элементов схемы и их соединение на плате согласно принципиальной
электрической схеме с учетом технологии изготовления.
Поэтому задачи самостоятельной работы ограничены разработкой топологии
микросхемы и технологического маршрута ее производства.
Разработку топологии рекомендуется производить в такой
последовательности :
1) анализ и согласование ТЗ;
2) разработка коммутационной схемы ;
2. П РО Е К Т И РО В А Н И Е Т О П О Л О Г И Г И Б РИ Д Н Ы Х М И К РО СХ Е М И сходны е да нны е для р а счета СН , пФ ; ℵС , %; UР , В ; технол огич е ск ие 2.1 П Р АВИЛ А П Р О ЕК ТИР О ВАН ИЯ огр анич ения. 2.1.1 О бщ и е п олож ени я Разр аботка ГИМ С пр ед став л яетсобойк омпл ек с мер опр иятий, напр авл енны х на созд ание к омпл ек та к онстр ук тор ск ой д ок ументации, пр ед назнач енного д л я изготов л е ния и к онтр ол я мик р осхе м. Исход ны ми д анны ми д л я пр оек тир ов ания яв л яются: а ) техническое за да ние (Т З) д л я р азр аботк и мик р осхе мы ил и се р ии мик р осхем; б) п р инцип иа ль на я электр ическа я схема : в ) технологические в озмож ности и огр а ничения, т. е . св е д е ния о технол огич е ск их пр оце ссах и обор уд ов ании, к отор ы е могутиспол ьзов аться д л я изготов л ения ГИМ С. Те хнич е ск ое зад ание в к л юч ае т те хнич е ск ие тр е бов ания (функ цию, Р и с. 1.11 Топ ологи чески й черт ё ж конд енсат ора (м асш т аб не соблю д ался). э л ек тр ич е ск ие хар ак тер истик и и пар аметр ы р азр абаты в аемой мик р осхемы, напр я же ние питания и т.п.); э к спл уатационны е тр е бов ания (по П ор ядок р а счета : Снач ал а по исход нымд аннымв ыбир аютд иэ л ек тр ич еск ую к л иматич е ск ими механич е ск имв озд ейств иям); тр ебов ания по над ежности пасту и пр ов од ящие пасты д л я нижней и в ер хней обк л ад ок и опр ед ел яют (в р емя бе зотк азной р аботы , ср ок сл ужбы и т.д .); тр ебов ания к хр анению (в пл ощад ь в ер хней обк л ад к и: ск л ад ск ихусл ов иях, в пол ев ы хусл ов иях); к онстр ук тив ны е тр ебов ания (тип СН SB = и р азмер к ор пуса, тр ебов ания к в ы в од ам, в е с и т.п.). С0 Н аибол ее тв ор ч е ск ой р аботой в пр оце ссе пр оек тир ов ания ГИМ С яв л яется Затем, зад ав шись пр иемл е мы м л ине йны м р азмер ом (д л я пр ямоугол ьной р азр аботка топол огич еск ого ч ер тежа, опр ед ел яющего в заимное р аспол ожение фор мы ) ил и пр иняв А В = В В (д л я к в ад р атной фор мы ) по (1.47 и 1.48) в сех э л ементов схемы и их соед инение на пл ате согл асно пр инципиал ьной р ассч иты в аютгеометр ич е ск ие р азмер ы обк л ад ок и д иэ л ек тр ик а. П р и э том э л ек тр ич е ск ой схеме с уч етом технол огии изготов л ения. уч иты в ают, ч то q = 300 мк м, а f = 200 мк м. П р и к онстр уир ов ании П оэ томузад ач и самостоятел ьнойр аботы огр анич ены р азр аботкойтопол огии тол стопл еноч ны х к онд енсатор ов пр ямоугол ьную фор му в ы бир аютл ишь в мик р осхемы и технол огич е ск ого мар шр ута ее пр оизв од ств а. тех сл уч аях, к огд а к в ад р атная фор ма по к ак им-л ибо пр ич инам неуд обна. Разр аботк у топол огии р е к оме нд уе тся пр оизв од ить в так ой П осл е э того опр ед ел яютпл ощад ь, занимаемую к онд енсатор ом, и пр ов од ят посл ед ов ател ьности: оценк уд обр отности и стабил ьности. 1) анализисогласованиеТ З; 1.3. П Л ЕН ОЧ Н Ы Е ИН Д УК ТИВН Ы Е ЭЛ ЕМ ЕН ТЫ 2) разработкакоммутац ионной сх емы; Инд ук тив ны е э л ементы шир ок о р аспр остр анены в анал огов ы хГИМ С. Они 48 37
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 35
- 36
- 37
- 38
- 39
- …
- следующая ›
- последняя »