Расчёт и проектирование гибридных микросхем. Дикарев Ю.И. - 4 стр.

UptoLike

Составители: 

4
1. КОНСТРУИРОВАНИЕ И РАСЧЕТ ПЛЕНОЧНЫХ ПАССИВНЫХ
ЭЛЕМЕНТОВ
1.1 ПЛЕНОЧНЫЕ РЕЗИСТОРЫ
Пленочные резисторы являются наиболее распространенными элемен-
тами гибридных интегральных микросхем (ГИМС) и микросборок (МСБ).
В зависимости от толщины различают тонко- и толстопленочные резисто -
ры. Толщина тонкопленочных резисторов не превышает 1 мкм, и они изго -
товляются преимущественно методами вакуумного напыления и осаждения.
Толстопленочные резисторы изготавливаются методами трафаретной печа-
ти . Их толщина составляет (10-100) мкм.
1.1.1 Конструкции пленочных резисторов
Пленочные резисторы представляют собой узкие резистивные пленки,
нанесенные на диэлектрическую подложку, на концах которых имеются кон -
тактные площадки, обладающие высокой электропроводностью. На рис. 1.1
показаны наиболее распространенные конфигурации таких резисторов .
Наиболее распространенной является полосковая прямоугольная форма
( рис. 1.1 а), как самая простая по технологическому исполнению, но совер -
шенная с точки зрения ее воспроизводимости . Высокоомные резисторы,
имеющие значительную длину, в целях рационального использования пло-
щади подложки, выполняются в форме змейки (рис. 1.1 в ), меандра (рис. 1.1
г) или составляются из последовательно соединенных полосок , повторяю-
щих форму меандра (рис. 1.1 в ). Резисторы, выполненные из составных по-
лосок , отличаются большей точностью воспроизведения, лучшей стабиль-
ностью характеристик и надежностью. Однако они занимают несколько боль-
шую площадь, чем меандр. Меандр уступает в отношении стабильности и
надежности конфигурации типа «змейка» из-за перегрева на внутренних
участках изгибов , но он предпочтительней с точки зрения проектирования и
изготовления масок и фотошаблонов .
При проектировании формы пленочных резисторов контактные площад -
ки следует располагать с противоположных сторон . Этот прием позволяет
устранить погрешности совмещения проводящего и резистивного слоев,
приводящие к изменению длины резистора.
При выборе конструкции для толстопленочных резисторов необходимо
учитывать , что они изготавливаются, в основном, в форме прямоугольных,
полосок . Для низкоомных тонкопленочных резисторов иногда применяется
конструкция с внутренней контактной площадкой (рис. 1.1 е).
81
Приложение 4. Габаритные чертежи и основные конструктивные и
предельные эксплуатационные характеристики бескорпусных п-р-п -
транзисторов
Тип
Транзистора
I
Kmax
,
мА
P
Kmax
,
МВт
U
КЭ
,
В
H Т,
°С
Габар
.
черт.
1 2 3 4 5 6 7
КТ 307А - 307Г
20 15 10 20-80 -65...+85 а
КТ 317А -317Г 15 15 15 25 250 -65...+85 б
КТ 324А
-
324Г
20
15
10
20
-
250
-
65...+85
в
КТ 331А -331Г 20 15 15 40-120 -60...+125 г
КТ 332А - 332Г
20 15 15 20-120 -60...+125 г
КТЗЗЗА ЗЗЗГ
20 15 10 50-280 -60...+85 д
КТ 348А - 348Г
15 15 5 25-250 -40...+85 д
КТ 354А -354Г 20 20 10 40-400 -60...+85 е
 1. К О Н СТ РУ И РО В А Н И Е И РА СЧ Е Т П Л Е Н О Ч Н Ы Х П А ССИ В Н Ы Х                П ри лож ени е 4. Габари т ны е черт еж и и основны е конст рукт и вны е и
                                     ЭЛ Е М Е Н Т О В                                       п ред ельны е эксп луат аци онны е характ ери ст и ки бескорп усны х п -р-п -
                          1.1 П Л ЕН ОЧ Н Ы Е Р ЕЗИСТО Р Ы                                                                 т ранзи ст оров
     П л еноч ны е р е зистор ы яв л яются наибол ее р аспр остр аненны ми э л емен-
тами гибр ид ны х интегр ал ьны х мик р осхем(ГИМ С) и мик р осбор ок (М С Б ).                 Тип         IKmax,   PKmax,    UКЭ ,         H            Т,        Габар .
В зав исимости оттол щины р азл ич аюттонк о- и тол стопл еноч ны е р е зисто-              Тр анзистор а    мА      МВт         В                       °С          ч ер т.
р ы . Тол щина тонк опл еноч ны х р е зистор ов не пр ев ы шает1 мк м, и они изго-
тов л яются пр еимуще ств енно метод ами в ак уумного напы л ения и осажд ения.                  1            2        3         4           5            6            7
Тол стопл еноч ны е р е зистор ы изготав л ив аются метод ами тр афар етной печ а-         КТ307А - 307Г     20       15        10        20-80       -65...+85        а
ти. Ихтол щина состав л яет(10-100) мк м.                                                  КТ317А -317Г      15       15        15      25 – 250      -65...+85        б
                    1.1.1 Конст рукци и п леночны х рези ст оров
                                                                                           КТ324А - 324Г     20       15        10       20-250        -65...+85       в
     П л еноч ны е р е зистор ы пр ед став л яютсобой узк ие р е зистив ны е пл енк и,
                                                                                            КТ331А -331Г     20       15        15       40-120       -60...+125       г
нане сенны е на д иэ л ек тр ич е ск ую под л ожк у, на к онцахк отор ы химеются к он-
                                                                                           КТ332А - 332Г     20       15        15       20-120       -60...+125       г
так тны е пл ощад к и, обл ад ающие в ы сок ой э л ек тр опр ов од ностью. Н а р ис. 1.1
                                                                                           КТЗЗЗА – ЗЗЗГ     20       15        10       50-280        -60...+85       д
пок азаны наибол ее р аспр остр аненны е к онфигур ации так их р е зистор ов .
                                                                                           КТ348А - 348Г     15       15         5       25-250        -40...+85       д
     Н аибол ее р аспр остр аненной яв л яется пол оск ов ая пр ямоугол ьная фор ма
(р ис. 1.1 а), к ак самая пр остая по технол огич е ск омуиспол нению, но сов ер -         КТ354А -354Г      20       20        10       40-400       -60...+85        е
шенная с точ к и зр ения е е в оспр оизв од имости. В ы сок оомны е р е зистор ы ,
имеющие знач ител ьную д л ину, в цел ях р ационал ьного испол ьзов ания пл о-
щад и под л ожк и, в ы пол няются в фор ме змейк и (р ис. 1.1 в ), ме анд р а (р ис. 1.1
г) ил и состав л яются из посл ед ов ател ьно соед иненны х пол осок , пов тор яю-
щихфор муме анд р а (р ис. 1.1 в ). Ре зистор ы , в ы пол ненны е изсостав ны хпо-
л осок , отл ич аются бол ьшей точ ностью в оспр оизв ед ения, л уч шей стабил ь-
ностью хар ак тер истик и над ежностью. Од нак о они занимаютне ск ол ьк о бол ь-
шую пл ощад ь, ч ем ме анд р . М е анд р уступаетв отношении стабил ьности и
над ежности к онфигур ации типа « змейк а» из-за пер егр ев а на в нутр енних
уч астк ахизгибов , но он пр ед поч тител ьнейс точ к и зр ения пр оек тир ов ания и
изготов л ения масок и фотошабл онов .
     П р и пр оек тир ов ании фор мы пл еноч ны хр е зистор ов к онтак тны е пл ощад -
к и сл ед уетр аспол агать с пр отив опол ожны х стор он. Э тотпр ием позв ол яет
устр анить погр ешности сов мещения пр ов од ящего и р е зистив ного сл ое в ,
пр ив од ящие к изменению д л ины р е зистор а.
     П р и в ы бор е к онстр ук ции д л я тол стопл еноч ны х р е зистор ов необход имо
уч иты в ать, ч то они изготав л ив аются, в основ ном, в фор ме пр ямоугол ьны х,
пол осок . Д л я низк оомны х тонк опл еноч ны х р е зистор ов иногд а пр именяется
к онстр ук ция с в нутр енней к онтак тной пл ощад к ой (р ис. 1.1 е).

                                          4                                                                                      81